普通大功率GaN LED的工作電壓低(3V左右單顆),電流很大(350mA單顆),因K4B4G1646B-HCK0此在照明電路中通常要經(jīng)過(guò)很復(fù)雜的電壓轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn)2⒛V高壓向低電壓的轉(zhuǎn)換,由于LED的壽命很長(zhǎng)(10萬(wàn)小時(shí)),而使用中的轉(zhuǎn)換電路的電子元器件在大電流下工作時(shí)的壽命低于LED的壽命,結(jié)果導(dǎo)致整個(gè)LED燈泡不能正常工作。最早推出高壓LED模塊的是美國(guó)普瑞公司,他把很多封裝好的小功率LED串聯(lián)在基板上,構(gòu)成大功率的高壓LED模塊,后來(lái)又出現(xiàn)了集成封裝形式的所謂COB LED,即把一顆顆分離的LED芯片在封裝時(shí)集成到一個(gè)散熱基板上,進(jìn)行串并聯(lián)連接來(lái)形成高壓封裝LED。本小節(jié)所講的高壓LED芯片(Ⅲ吵VoltagC Ⅱght Emitting Diodc,HV LED)是指一種新結(jié)構(gòu)的高壓LED芯片,是在芯片制造過(guò)程中通過(guò)將相互隔離的發(fā)光單元之間通過(guò)電極連接來(lái)實(shí)現(xiàn)的,圖⒋40是幾種高壓LED示意圖。