被金屬覆蓋的區(qū)域由于高阻而形
發(fā)布時(shí)間:2016/8/7 17:26:15 訪問(wèn)次數(shù):633
也有研究者根據(jù)金屬電極吸光、擋光等特性,設(shè)計(jì)出既能起到電流阻擋的作用,又能E-L7203TR將金屬電極下方的有源區(qū)發(fā)出的光反射回芯片底部lsl,使光在芯片底部的反射層和電極下方的反射層之間發(fā)生多次發(fā)射,最終達(dá)到光取出的效果。如圖5-4(a)[1叨便是用布拉格反 射鏡做CBL的芯片示意圖,圖5-4(b)是布拉格反射鏡配套鋁反射層做CBL的芯片示意圖[11]。此類型結(jié)構(gòu)的芯片比同尺寸只用單一絕緣層做CBL的芯片在相同電流驅(qū)動(dòng)下的光功率有所提高,具體提高的比例由復(fù)合反射層的反射率、CBL的寬度和厚度等因素決定。用高能電子照射[l劍或者氮?dú)猸h(huán)境下高溫退火的方式[13]可將p-GaNˉ中的M纊H復(fù)合鍵打斷,使Mg受主離化率提高,從而提高少GaN中的空穴濃度[l釗。Chia-Ming Lce等人[l劊利用此原理,用金屬做掩膜后對(duì)p-⒍N進(jìn)行選區(qū)退火激活,被金屬覆蓋的區(qū)域由于高阻而形成電流阻擋層,在⒛mA下光功率可提高⒛%。
也有研究者根據(jù)金屬電極吸光、擋光等特性,設(shè)計(jì)出既能起到電流阻擋的作用,又能E-L7203TR將金屬電極下方的有源區(qū)發(fā)出的光反射回芯片底部lsl,使光在芯片底部的反射層和電極下方的反射層之間發(fā)生多次發(fā)射,最終達(dá)到光取出的效果。如圖5-4(a)[1叨便是用布拉格反 射鏡做CBL的芯片示意圖,圖5-4(b)是布拉格反射鏡配套鋁反射層做CBL的芯片示意圖[11]。此類型結(jié)構(gòu)的芯片比同尺寸只用單一絕緣層做CBL的芯片在相同電流驅(qū)動(dòng)下的光功率有所提高,具體提高的比例由復(fù)合反射層的反射率、CBL的寬度和厚度等因素決定。用高能電子照射[l劍或者氮?dú)猸h(huán)境下高溫退火的方式[13]可將p-GaNˉ中的M纊H復(fù)合鍵打斷,使Mg受主離化率提高,從而提高少GaN中的空穴濃度[l釗。Chia-Ming Lce等人[l劊利用此原理,用金屬做掩膜后對(duì)p-⒍N進(jìn)行選區(qū)退火激活,被金屬覆蓋的區(qū)域由于高阻而形成電流阻擋層,在⒛mA下光功率可提高⒛%。
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