P電極做好后,要進(jìn)行背面減薄拋光工藝。由于AlC.aInP LED與GaN LED的材料性質(zhì)不同,BAM04-24153-0502從背面開(kāi)始的工藝設(shè)備有區(qū)別。首先Ga`s材料很易碎,因此其磨片減薄需要采用磨料,而GaN材料用砂輪減薄,因此設(shè)備不同。磨片設(shè)備主要有英國(guó)logitcch公司的設(shè)備(如PM50)和韓國(guó)NTS公司的設(shè)備。英國(guó)logitcch公司設(shè)備的工作原理是通過(guò)剛玉粉等磨料把半導(dǎo)體晶圓片減薄到一定厚度(如從350um減薄到150um),然后再用化學(xué)拋光液進(jìn)行拋光。PM50設(shè)備有3個(gè)磨頭可同時(shí)研磨9片晶片、超精旋轉(zhuǎn)軸、可半自動(dòng)研磨拋光、帶有數(shù)字式顯示的無(wú)級(jí)調(diào)速、可自動(dòng)停止工作的定時(shí)器、可配備研磨劑自動(dòng)混料及送料的滴料器。

   韓國(guó)NTs株式會(huì)社用于加工GaAs芯片的超高精度研磨設(shè)備是便于規(guī)�；a(chǎn)型的,工作原理也是通過(guò)剛玉粉等磨料把半導(dǎo)體晶圓片減薄到一定厚度,再通過(guò)化學(xué)液進(jìn)行初拋光和精細(xì)拋光。如型號(hào)Nano surface SL510T-CL設(shè)備帶有粘片的功能,可同時(shí)加工10片,其新的型號(hào)設(shè)備可以同時(shí)加工⒛片。減薄工藝:首先要對(duì)晶片進(jìn)行厚度測(cè)量記錄,然后進(jìn)行粘片,即把晶片通過(guò)蠟粘貼在磨片機(jī)的托盤(pán)上,粘貼后在測(cè)量?jī)x上測(cè)量此時(shí)晶片表面各點(diǎn)的高度,根據(jù)目標(biāo)厚度,估算要磨掉的厚度值,并開(kāi)始減薄和拋光工藝操作,測(cè)量達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí),取下晶片用去臘液進(jìn)行去臘清洗,然后再進(jìn)行常規(guī)晶片去油清洗。