說明ROM、EPROM、rPROM和Flash之間的主要區(qū)別。

    EPROM、PROM、動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM等存儲器中,哪幾類是可以隨時讀/寫的?

   某ROM芯片中有12根地址輸入H7ET-NFV1-B端和8個數(shù)據輸出端,該芯片的存儲容量是多少位?

   說明動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的主要區(qū)別,使用時應如何選用?

   說明NOR∏ash與NAND Flash的主要區(qū)別,使用時應如何選用?

   現(xiàn)有若干片2K×8位的RAM芯片,若用線選法組成存儲器,有效的尋址范圍最大是多少?若用3-8譯碼器來產生片選信號,則有效的尋址范圍最大又是多少?若要將尋址范圍擴展到Cz+KB,應選用什么樣的譯碼器來產生片選信號?

   什么是地址重疊區(qū)?它對存儲器擴展有什么影響?

   如圖2.⒛所示,若用1K×8位的芯片來擴展3K×8位RAM,試計算各片的地址范圍為多少?

   現(xiàn)有8K×8位RAM多片,1片3ˉ8譯碼器,要構成容量為16Κ×8位的存儲器,請用線選法、部分譯碼、全譯碼3種方式分別設計,畫出連接圖,并指出尋址范圍。

   如何檢查擴展的RAM工作是否正常?試編―個簡單的RAM檢查程序,要求此程序能記錄有多少個RAM單元工作有錯且能記錄出錯的單元地址?