通過以上步驟完成了PMOS的版圖繪制。接下來將繪制出NMOS的版圖。H11AA2繪制NMOs管的步驟與PMOs管基本相同(新建一個名為NMOs的Ccll)。不同的是NMOs是做在P型襯底上,要有一個N型注入層,這一層要覆蓋整個有源區(qū)。同樣,為進行源區(qū)和漏區(qū)的連接,要用金屬1畫兩個矩形,分別覆蓋源區(qū)和漏區(qū)上的接觸孔,覆蓋長度為0.1um。為進行襯底連接,必須在襯底的有源區(qū)中間添加接觸孔,這個接觸孔每邊都被有源區(qū)覆蓋0.2um。然后還要進行P型注入,注入區(qū)覆蓋有源區(qū)0,3um,使得金屬1和P型襯底形成良好的歐姆接觸。畫出用于電源的金屬連線,布線完畢后的版圖如圖8.25所示。

   (a)PMOs管的版圖 (b)NMOs管的版圖

   圖825 MOs管的實際版圖

   繼續(xù)進行后面的工作以完成整個非門的繪制及繪制輸入、輸出。新建一個Ccll。將上面完成的兩個版圖復制到其中,并以多晶硅為基準將兩圖對齊。然后,可以將任意一個版圖的多晶硅延長和另外一個的多晶硅相交。