減薄后進(jìn)行背面N型金屬電極淀積,材料為AuGcNi/Au,厚度為50nm~1.5um,并進(jìn)行快速退火,退火溫度435℃,時(shí)間40秒,通N2保護(hù)。BATF003G2K94-00R退火后進(jìn)行芯片切割,A⒑aInPLED切割分半切和全切,所謂半切就是切割深度稍超過外延層,把管芯結(jié)構(gòu)層分離開即可,襯底還連接在一起,進(jìn)行管芯分選測(cè)量后再進(jìn)行全切、擴(kuò)片。全切就是在原半切的基礎(chǔ)上繼續(xù)把每個(gè)管芯的襯底材料完全切開,使每個(gè)管芯獨(dú)立分開。切割機(jī)原理是通過內(nèi)置高速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)精密氣動(dòng)主軸帶動(dòng)薄型2″或3″刀片,對(duì)半導(dǎo)體硅、'砷化鎵片等脆性材料進(jìn)行溝 槽切斷加工的設(shè)備,主要廠家有日本DISCo,德國oEG等企業(yè)。

   由于工藝質(zhì)量和均勻性的提高,小功率的芯片只做抽測(cè),不做全部測(cè)量和分揀。而高亮度和大功率以及用于顯示的芯片一般要全部進(jìn)行測(cè)量和分選。這個(gè)過程與GaN LED類似,只是所用的設(shè)備不同。A⒑aInP LED由于是上、下電極,背面與探針臺(tái)接觸作為公共負(fù)極,因此只需要陽極一個(gè)探針分別點(diǎn)接觸每個(gè)管芯的P電極就可以測(cè)試。正裝AlGaInP LED制備也有先做減薄工藝,后作電極的,其工藝過程如圖⒍3所示,這樣做的優(yōu)點(diǎn)是后面電極工藝較清潔,缺點(diǎn)是后工藝容易導(dǎo)致晶片破碎。