在電子產(chǎn)品中使用的晶體管和集成電路,由于流過集電極PN結(jié)的電流產(chǎn)生熱量,必須MLF1005DR33KT采取有效的方法將這些熱量散發(fā)出去,否則晶體管與集成電路的工作性能會變壞,嚴(yán)重時還會燒壞。因此在使用晶體管與集成電路時,必須認(rèn)真地考慮其散熱問題。

   晶體管及集成電路芯片的散熱原理。

   晶體管和集成電路在工作時,直流電源功耗有一部分要消耗在晶體管內(nèi),就是集電極功耗民。它們產(chǎn)生的熱量一面使結(jié)溫度升高,一面又經(jīng)過管殼向四周發(fā)散,在連續(xù)工作時,達到熱的平衡,使得結(jié)溫度保持在高于環(huán)境溫度幾的某一定值馬。所以在一定的環(huán)境溫度風(fēng)和晶體管和集成電路散熱能力下,集電極功耗凡就決定了管子結(jié)溫度馬的高低。而一個晶體管或集成電路最大允許的結(jié)溫度馬M是一定的,它由器件的材料和制造工藝所決定。對于鍺材料,馬M約為75~100℃,對于硅材料,約為150~⒛0℃。每種型號晶體管和集電路的馬M可以從晶體管器件手冊和集成電路手冊中查到。這樣,在一定環(huán)境溫度幾和管子的散熱能力下,最大允許的集電極功耗PcM就是一定的,它由馬M所限制。使用時,如果長時期超過PcM,貝刂晶體管結(jié)溫度將超過最大允許結(jié)溫度馬M,就會縮短管子壽命,甚至有燒壞的危險。