RT為熱電阻,單位是℃/W或℃lllW,例如,3AX81的熱阻RT=0,25℃/mW,即集電極功耗每增加1mW,結(jié)溫升高0,25℃。熱阻反映了器件的散熱能力,熱阻愈小, MLF1005L1R0KT則器件散熱能力愈好。由上式可看出,在一定的最高結(jié)溫馬M和環(huán)境溫度幾下,熱阻愈小,貝刂最大允許的集電極功耗愈大。例如一個晶體管馬M=90℃,使用時最高工作溫度幾=50℃,設熱阻=20℃/W,則管子的PcM=2W。如果的將熱阻降低為4℃/W,則PcM=10W,比原來的最大允許集電極功耗提高了5倍。這種情況,從物理現(xiàn)象上也是容易理解的。熱阻減小,表示晶體管散熱能力加強,可以把集電極功耗所產(chǎn)生的熱量更快地散發(fā)掉,因此對于一定的馬M和幾,可以承受的最大集電極功耗PcM就增加了。由上可知,提高一個晶體管的PcM,也就是提高管子的輸出功率,即增加管子的散熱能力,也就是減小它的熱阻。目前,提高器件散熱能力的主要方法是裝散熱器(微機在CPU芯片的散熱器上還裝電風扇)。散熱器用導熱性能良好的銅、鋁等金屬制成,表面涂黑,晶體管裝上散熱器后,熱阻降低,最大允許集電極功耗顯著增加,一般可增大5倍以上,所以在輸出功率大于1W時,器件就需要上適當?shù)纳崞鳌?/span>