FED的制作工藝
發(fā)布時(shí)間:2016/9/28 20:31:19 訪問次數(shù):1237
微尖的制作過程如下:
(1)制作導(dǎo)電基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02絕緣層以及柵極(Mo)的三層結(jié)構(gòu),如圖4-6所示。
(2)柵極光刻和反應(yīng)離子刻蝕過程。該過程F08B103對(duì)光刻精度要求很高(小于1.5um),可通過紫外光步進(jìn)曝光實(shí)現(xiàn),如圖4-7所示。光刻技術(shù)是開發(fā)新型CMOS制造工藝中的間控功能(gati吧func沆n)。所有半導(dǎo)體制
(a)柵極光刻和反應(yīng)離子刻蝕;(b)絕緣層刻蝕(化學(xué)刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕)。造商都采用相同的光刻工具,但使用工具的方法則根據(jù)制造商的專業(yè)技術(shù)及相關(guān)要求而有所差異。目前的氬氟(ArF1)光刻工具可提供193nm的波長,可以用它刻蝕小至歲nm的臨界尺寸,該尺寸比光波的長度小1/5。
微尖的制作過程如下:
(1)制作導(dǎo)電基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02絕緣層以及柵極(Mo)的三層結(jié)構(gòu),如圖4-6所示。
(2)柵極光刻和反應(yīng)離子刻蝕過程。該過程F08B103對(duì)光刻精度要求很高(小于1.5um),可通過紫外光步進(jìn)曝光實(shí)現(xiàn),如圖4-7所示。光刻技術(shù)是開發(fā)新型CMOS制造工藝中的間控功能(gati吧func沆n)。所有半導(dǎo)體制
(a)柵極光刻和反應(yīng)離子刻蝕;(b)絕緣層刻蝕(化學(xué)刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕)。造商都采用相同的光刻工具,但使用工具的方法則根據(jù)制造商的專業(yè)技術(shù)及相關(guān)要求而有所差異。目前的氬氟(ArF1)光刻工具可提供193nm的波長,可以用它刻蝕小至歲nm的臨界尺寸,該尺寸比光波的長度小1/5。
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- 7-24信息的分段存儲(chǔ)與段寄存器的關(guān)系
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- F08B103
- 暫無最新型號(hào)
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