摻雜濃度對(duì)氧化率的影響隨著摻雜物的類型及濃度的不同而變化。通常來(lái)講，高摻雜區(qū)比低摻雜區(qū)氧化得更快。 A2919SLBTR-T高濃度磷摻雜區(qū)是不摻雜區(qū)氧化率的2—5倍6i。

   可是，摻雜氧化影響在線性階段（薄氧化層）表現(xiàn)得更為顯著。

   氧化雜質(zhì)：特定的雜質(zhì)，特別是氯化氫( HCl)中的氯，被包含在氧化環(huán)境中（見(jiàn)7.4節(jié)）。這些雜質(zhì)對(duì)生長(zhǎng)率有影響。在有氯化氫的情況下，生長(zhǎng)率呵提高1%到5%引。

   多晶硅氧化：多晶硅的導(dǎo)體和柵極是大多數(shù)MOS器件或電路的特性。器件或電路工藝要求多晶硅氧化。與單晶硅相比，多晶硅可以更快、更低或相似。一些和多晶硅形成有關(guān)的因素會(huì)影響接下來(lái)的氧化。這些因素包括多晶硅淀積方法、淀積溫度、淀積壓力、摻雜的類型和濃度，以及多晶硅的晶體結(jié)構(gòu)。

   差值氧化率及氧化臺(tái)階：經(jīng)過(guò)器件或電路制造工藝的初始氧化后，晶圓表畫(huà)的條件會(huì)有所不同，有些是場(chǎng)氧化的，有些是摻雜的，有些是多晶硅區(qū)，等等。每個(gè)區(qū)有不同的氧化率并依賴不同的條件氧化厚度會(huì)增加。氧化厚度的不同稱為差值氧化( differential

oxidation)。以MOS晶圓上的氧化為例，在相鄰的經(jīng)過(guò)輕度摻雜的漏極和源極，形成的多晶硅柵極，可以導(dǎo)致在柵極上的氧化層比較厚，這是因?yàn)槎趸柙诙嗑Ч枭仙L(zhǎng)得比較快。