特征尺寸的減小和電路密度的增大帶來了很多益處。在電路的性能方面是電路速度的提芯片密度從小規(guī)模集成電路( SSI)發(fā)展到甚大規(guī)模集成電路(ULSI)進(jìn)步推動(dòng)_r更大尺寸芯片的開發(fā)。分立器件和SSI芯片邊長(zhǎng)平均約為IOO mil（0.1英寸）， A3967SLBTR-T而ULSI芯片每邊長(zhǎng)是500~1000  mil（0.5~I.O英寸）。集成電路足在稱為晶圓(wafer)的薄硅片（或其他半導(dǎo)體材料薄片，見第2章）L制造而成的。在圓形的晶圓上制造方形或長(zhǎng)方形的芯片導(dǎo)致在晶圓的邊緣處剩余一螳不町使用的區(qū)域（見圖6.6），當(dāng)芯片的尺寸增大時(shí)這些不叮使用的區(qū)域也隨之增大（見圖1. 11）。為_『彌補(bǔ)這種損失，半導(dǎo)體業(yè)界采用了更大尺寸的晶圓。隨著芯片的尺寸增大，1960年時(shí)的1英寸直徑的晶圓已經(jīng)被200 mm和300 mm（8英寸和12英寸）的晶圓所取代因?yàn)榫W(wǎng)面積隨著其半弳平方的增加而增大，生產(chǎn)效率也增加_r。因此，從6英寸到12英寸，晶圓直徑翻倍，制造芯片可使用的面積增大4倍。

-1--1    1-1--1-1-1-1-1-1970  1975  1980  1985  1990  1995  2000  2005  2010  2015 晶圓尺'于發(fā)展史（經(jīng)Fmu,re Fab In,tern,ation,al允許）

   預(yù)計(jì)引進(jìn)450 mm（1 8英寸）直徑的晶圓年份是2012年。盡管又一次推遲，450 mm晶圓變得可用，英特爾( Intel)、臺(tái)積電(TSMC)和三星(Samsung)宣布計(jì)劃建立新的晶圓制造I：廠( fab)。成本已經(jīng)成為更大的晶圓加工的一個(gè)主要障礙。一般來說，在技術(shù)層面卜‘是

不可能簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)大到300 mm生產(chǎn)線的。因此，新的工廠設(shè)施是必要的，但不是在設(shè)備供心商的設(shè)計(jì)、測(cè)試和建立可擴(kuò)展能力的工藝設(shè)備之前。這些投入是昂貴和費(fèi)時(shí)的、但是，更高效的生產(chǎn)、良品率和先進(jìn)的電路調(diào)節(jié)的真正結(jié)果已經(jīng)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)在不斷進(jìn)步7。費(fèi)用因素也導(dǎo)致了保留較小直徑的晶網(wǎng)生產(chǎn)線。對(duì)于已建立的已經(jīng)長(zhǎng)期折的老產(chǎn)品線，幾乎沒有要移到更大晶圓上的經(jīng)濟(jì)誘因。、事實(shí)上，150 mm（5.9 in又名6英寸）晶圓，以及200 mm品圓仍在使用。