元件密度的增加帶來了連線問題
發(fā)布時間:2016/10/9 20:05:50 訪問次數(shù):428
隨著特征圖形尺寸的減小， A3RC53-140W在制造工藝中減小缺陷密度和缺陷尺寸的需求就變得十分關(guān)鍵r。在尺寸為100IJm的晶體管上有一個l¨m的灰塵可能不是問題，但對于一個1斗m的晶體管來說1htm的灰塵會是一個導(dǎo)致元件失效的致命缺陷。污染控制措施已經(jīng)成為成功的微芯片制造廠一個必備的條件（見第5章）。
內(nèi)部連線水平的提高
元件密度的增加帶來了連線問題，在住宅區(qū)的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時街道對于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會發(fā)生在集成電路設(shè)汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元形成的表面上使用多層絕緣層和導(dǎo)電層相互疊加的多層連線（見第13章）.
隨著特征圖形尺寸的減小， A3RC53-140W在制造工藝中減小缺陷密度和缺陷尺寸的需求就變得十分關(guān)鍵r。在尺寸為100IJm的晶體管上有一個l¨m的灰塵可能不是問題，但對于一個1斗m的晶體管來說1htm的灰塵會是一個導(dǎo)致元件失效的致命缺陷。污染控制措施已經(jīng)成為成功的微芯片制造廠一個必備的條件（見第5章）。
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元件密度的增加帶來了連線問題，在住宅區(qū)的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時街道對于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會發(fā)生在集成電路設(shè)汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元形成的表面上使用多層絕緣層和導(dǎo)電層相互疊加的多層連線（見第13章）.
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