基于鍵合技術(shù)的白光發(fā)光二極管
發(fā)布時間:2016/11/2 22:20:16 訪問次數(shù):1105
基于鍵合技術(shù)的白光發(fā)光二極管:這種方法是由藍(lán)光基色芯片和其他基色芯片鍵合在一起混光形成白光。LM3409MY一種方法是將分別制備的藍(lán)光基色芯片和紅光基色芯片發(fā)光面之間蒸鍍ITo層,然后經(jīng)過鍵合、減薄GaAs襯底、光刻、刻蝕及濺射金屬電極,制備成白光發(fā)光器件。其中,藍(lán)光基色芯片有一個n電極,紅光基色芯片有一個p電極,當(dāng)測試電流流過這兩個電極時,紅光LED和藍(lán)光LED同時發(fā)光,得到白光。鍵合形成自光芯片如圖⒋32(b)所示。
利用有源層InGaN形成量子點獲得白光:這種方法的原理是利用InGraN層的應(yīng)力導(dǎo)致InGaN量子阱出現(xiàn)較多的富In量子點,這些量子點出射不同波長的光混合得到白光,缺點是量子點難控制,并且做成的器件的性能和重復(fù)性都不好。
將雜質(zhì)摻入藍(lán)光多量子阱有源區(qū)發(fā)光:例如把碳原子注入到InGaN/GaXT多量子阱LED中,藍(lán)光和碳原子雜質(zhì)發(fā)出的黃光混合得到白光。采用這種方法的缺點是雜質(zhì)原子的摻雜困難,效率不高。
基于鍵合技術(shù)的白光發(fā)光二極管:這種方法是由藍(lán)光基色芯片和其他基色芯片鍵合在一起混光形成白光。LM3409MY一種方法是將分別制備的藍(lán)光基色芯片和紅光基色芯片發(fā)光面之間蒸鍍ITo層,然后經(jīng)過鍵合、減薄GaAs襯底、光刻、刻蝕及濺射金屬電極,制備成白光發(fā)光器件。其中,藍(lán)光基色芯片有一個n電極,紅光基色芯片有一個p電極,當(dāng)測試電流流過這兩個電極時,紅光LED和藍(lán)光LED同時發(fā)光,得到白光。鍵合形成自光芯片如圖⒋32(b)所示。
利用有源層InGaN形成量子點獲得白光:這種方法的原理是利用InGraN層的應(yīng)力導(dǎo)致InGaN量子阱出現(xiàn)較多的富In量子點,這些量子點出射不同波長的光混合得到白光,缺點是量子點難控制,并且做成的器件的性能和重復(fù)性都不好。
將雜質(zhì)摻入藍(lán)光多量子阱有源區(qū)發(fā)光:例如把碳原子注入到InGaN/GaXT多量子阱LED中,藍(lán)光和碳原子雜質(zhì)發(fā)出的黃光混合得到白光。采用這種方法的缺點是雜質(zhì)原子的摻雜困難,效率不高。
相關(guān)技術(shù)資料- 11-2基于鍵合技術(shù)的白光發(fā)光二極管
- 1-13中頻變壓器諧振頻率調(diào)整方法解說
熱門點擊
- 要保持RST腳兩個機(jī)器周期的高電平時間
- 液相線溫度等于熔點溫度
- 突變結(jié)空間電荷區(qū)中電場隨位置線形變化
- 量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管
- 外層和內(nèi)層電子的能量分布與原子間距的關(guān)系
- 零點電壓
- 微分電路取較小的時間常數(shù)
- 微控制器電路
- 灰度指畫面上亮度等級的差別
- 變壓器的鐵芯采用飽和磁通密度高
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級設(shè)計特點
- 與通常的Hi-Fi前級不同，EP9307-CRZ這臺分... [詳細(xì)]
- 全集成直接飛行時間（dToF）傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場發(fā)展趨勢未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
