單片集成白光LED技術(shù)難度大,目前主要還處于研究階段,主要有以下幾種實現(xiàn)方法。

   (1)利用波長轉(zhuǎn)換技術(shù)實現(xiàn)白光:這種技術(shù)是在襯底上依次生長黃光和藍光量子阱, LM3409HVMYX其中黃光量子阱生長在p-n結(jié)之外,將其作為波長轉(zhuǎn)換器,電流只注入到藍光量子阱,發(fā)出的藍光激發(fā)黃光量子阱發(fā)射黃光,兩色光混合得到白光。該方法得到的電致發(fā)光譜強度需要進一步提高。單芯片波長轉(zhuǎn)化白光LED結(jié)構(gòu)如圖⒋32(a)所示。

   (2)基于鍵合技術(shù)的白光發(fā)光二極管:這種方法是由藍光基色芯片和其他基色芯片鍵合在一起混光形成白光。一種方法是將分別制備的藍光基色芯片和紅光基色芯片發(fā)光面之間蒸鍍ITo層,然后經(jīng)過鍵合、減薄GaAs襯底、光刻、刻蝕及濺射金屬電極,制備成白光發(fā)光器件。其中,藍光基色芯片有一個n電極,紅光基色芯片有一個p電極,當測試電流流過這兩個電極時,紅光LED和藍光LED同時發(fā)光,得到白光。鍵合形成自光芯片如圖⒋32(b)所示。