半導(dǎo)體發(fā)光材料條件

發(fā)布時(shí)間:2016/10/31 20:38:05 訪問次數(shù):2512

對于半導(dǎo)體發(fā)光器件,如需求最大、研究最多的LED,不僅需要考慮材料本身的發(fā)光性質(zhì),還要求材料具有適合制備LED器件的特別性質(zhì)。AD9514BCPZ對于.LED等發(fā)光器件,對材料的要求主要是:

(1)直接帶隙半導(dǎo)體。直接帶隙半導(dǎo)體中導(dǎo)帶底的電子可直接躍遷到價(jià)帶頂與空穴復(fù)合,所以躍遷概率大,發(fā)光效率高,適合用于發(fā)光材料和器件;而間接帶隙導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂?shù)目昭òl(fā)生躍遷需要聲子參與以保持動量守恒,這種躍遷是二級微擾過程,所以躍遷概

率小,不適合用于發(fā)光材料和器件。

(2)合適的禁帶寬度。發(fā)光材料中電子一空穴對最大概率的躍遷應(yīng)于導(dǎo)帶底到價(jià)帶頂?shù)?/span>躍遷,所以LED發(fā)射的光子能量約等于有源區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。LED發(fā)光波長龍(nm)和半導(dǎo)體材料禁帶寬度幾(cV)的關(guān)系為:

制備特定波長的發(fā)光器件,首先需要選擇特定禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。如圖3�！彼�,GaAs帶隙為1.42cV,是傳統(tǒng)的紅外LED發(fā)光材料。而制備藍(lán)光LED,對應(yīng)有源區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度應(yīng)在2,8cV左右,所以既無法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也無 ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源層。

率小,不適合用于發(fā)光材料和器件。

制備特定波長的發(fā)光器件,首先需要選擇特定禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。如圖3。”所示,GaAs帶隙為1.42cV,是傳統(tǒng)的紅外LED發(fā)光材料。而制備藍(lán)光LED,對應(yīng)有源區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度應(yīng)在2,8cV左右,所以既無法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也無 ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源層。

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相關(guān)IC型號: AD9514BCPZ; AD9500BP; AD9500BQ; AD9500TQ/883B; AD9501JD; AD9501JN; AD9501JP; AD9502BM; AD9502CM; AD9508KS; AD9510BCPZ

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