蒸鍍。在顯影后的外延片表面鍍上一層或多層金屬(如Au、№、Al等),一般將芯片置于高溫真空下, JANTX2N7236將熔化的金屬蒸著在芯片上。蒸發(fā)鍍膜屬于真空鍍膜技術(shù),是在真空室內(nèi),通過加熱蒸發(fā)出金屬蒸氣并使其沉積在材料表面。

   剝離。剝離光刻膠保護(hù)部分被蒸鍍的金屬,分別在p-GaN和⒈GaN表面形成在p極和n極金屬觸片,如圖5-25所示。

   圖5-25 剝離過程后的芯片表面,黃色分別表示p極和n極金屬觸片

   合金:使蒸鍍過程中蒸鍍的多層金屬分子間更緊密結(jié)合,減少接觸電阻。

   減薄:減小藍(lán)寶石襯底厚度,利于切割、散熱。

   切割:切割過程前需要進(jìn)行貼膜(白膜,寬度為16cm,黏性隨溫度的升高增加)、劃片(激光打在藍(lán)寶石襯底上,所用激光為紫外光,波長(zhǎng)為355nm,激光劃痕在25~35um)、倒膜(藍(lán)膜,寬度為22cm,倒膜時(shí)襯底朝上,有電極的一面朝下)、裂片(裂片前需在芯片上貼一層玻璃紙,防止裂片時(shí)刀對(duì)芯片的破壞)、擴(kuò)膜(把裂片后直徑為2英寸的芯片擴(kuò)充3英寸,便于后續(xù)的分揀)等過程。

   以上過程為L(zhǎng)ED芯片制造的基本流程,不同的芯片在工藝上也可能會(huì)有差異,比如So2光刻等。