鍺和硅是兩種重要的半導(dǎo)俸，在固態(tài)G10N60RUFD器件時代之初，第一個晶體管是由鍺制造的。但是鍺在工藝和器件性能上有問題。它的937℃熔點限制了高溫工藝，更重要的是，它表面缺少自然發(fā)生的氧化物，從而容易漏電。

  硅與二：氧化硅平面f藝的發(fā)展解決r集成電路的漏電問題，使得電路表面輪廓更平坦并日．硅的1415℃的熔點允許更高溫的T藝，因此，如今世界}：超過r 90%的生產(chǎn)用品圓材料都是硅.

    半導(dǎo)體化合物

   有很多半導(dǎo)體化合物由元素周期表中第II族、第III族、第V族和第VI族的元素形成．、在這些化合物中，商業(yè)半導(dǎo)體器件中用得最多的是砷化鎵( GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦( InP)、砷鋁化鎵(GaAIAs)和磷鎵化銦(InGaP)l。、這些化合物有特定的性能2，例如，當電流激活時，由砷化鎵和磷砷化鎵做成的二極管會發(fā)出可見的激光√它們和其他材料用于電子面板中的發(fā)光二極管( LED)。由于開發(fā)出一系列彩色光的其他化合物，發(fā)光二極管有里程碑式的增長。

   砷化鎵的一個重要特性就是其載流子的高遷移率。這種特性使得在通信系統(tǒng)中砷化鎵器件比硅器件更快地響應(yīng)高頻微波并有效地把它們轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏�、�?/span>

   這種載流子的高遷移率也是對砷化鎵晶體管和集成電路的興趣所在。砷化鎵器件比類硅器件快兩到三倍，應(yīng)用于超高速計算機和實時控制電路（如色機控制），

   砷他鎵本身就對輻射所造成的漏電具有抵抗性、j輻射（如宇宙射線）會在半導(dǎo)體材料中形成空穴和電子，它會增大不需要的電流，從而造成器件或電路的功能失效或損毀�？梢栽�輻射環(huán)境下工作的器件稱為輻射加固( radiation hardened)器件。砷化鎵是天然輻射加固材料。

   砷化鎵也是半絕緣的。這種特性使鄰近器件的漏電最小化，允許更高的封裝密度，進而由于空穴和電子移動的距離更短，電路的速度更快了。在硅電路中，必須在表面建莎特殊的絕緣結(jié)構(gòu)來控制表面漏電。這些結(jié)構(gòu)使用了不少空間并且減少電路的密度.