盡管有這么多的優(yōu)點(diǎn)，砷化鎵也G1117T63UF不會(huì)取代硅成為主流的半導(dǎo)體材料。其原因在于性能和制造難度之間的權(quán)衡，雖然砷化鎵電路非常快，但是大多數(shù)的電子產(chǎn)品不需要那么快的速度。在性能方面，砷化鎵如同鍺一樣沒有天然的氧化物。為廠補(bǔ)償，必須在砷化鎵上淀積多層絕緣體。這樣就會(huì)導(dǎo)致更長的工藝時(shí)間和更低的產(chǎn)量。而且在砷化鎵中半數(shù)的原子是砷，對(duì)人類是很危險(xiǎn)的。遺憾的是，在正常的工藝溫度下砷會(huì)蒸發(fā)，這就額外需要抑制層或者加壓的工藝反應(yīng)室。這些步驟延長了工藝時(shí)間，增加了成本。

   藝中容易折斷，而且也導(dǎo)致了大直徑的砷化鎵生產(chǎn)T藝水平比硅落后（見第3章）。

   盡管有這砦問題，砷化鎵仍是一種重要的半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用也將繼續(xù)增多，而且在未來對(duì)計(jì)算機(jī)的性能可能有很大影響。

   與砷化鎵有競爭性的材料是鍺化硅( SiGe)。、這樣的結(jié)合把晶體管的速度提高到町以應(yīng)用于超高速的對(duì)講機(jī)和個(gè)人通信設(shè)備當(dāng)中’。器件和集成電路的結(jié)構(gòu)特色是用超高真空／化學(xué)氣相沉積法( UHV/CVD)來淀積鍺層。4，、雙極型晶體管就形成在鍺層七，不同于硅技術(shù)中所形成的簡單晶體管，鍺化硅需要晶體管具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)( heterostructure)和異質(zhì)結(jié)(heterojum:tion)這些結(jié)構(gòu)有好幾層和特定的摻雜等級(jí)，從而允許高頻運(yùn)行二主要的半導(dǎo)體材料和二氧化硅之間的比較列。