1960年外延技術(shù)出現(xiàn),誕生了外延晶體管。20世紀(jì)7o年代初,美國研制出第一臺離子注人機(jī), NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域摻雜更精確、更均勻,可以在更薄的表面層內(nèi)實(shí)現(xiàn)精確摻雜,由此集成電路也向更大規(guī)模方向發(fā)展。隨后等離子干法刻蝕、化學(xué)氣相淀積等新工藝、新技術(shù)也不斷出現(xiàn)。從集成電路誕生到20世紀(jì)80年代,是以工藝技術(shù)的發(fā)展為主導(dǎo)來促進(jìn)微電子產(chǎn)品、特別是集成電路的高速發(fā)展時期。

   進(jìn)人~90世紀(jì)⒛年代中后期,集成電路設(shè)計從微電子生產(chǎn)制造業(yè)中獨(dú)立出來,微電子工藝也進(jìn)一步完善和規(guī)范,形成了集成電路標(biāo)準(zhǔn)制造I藝。全球第一家集成電路標(biāo)準(zhǔn)加工廠(Foundry)是1987年成

立的中國臺灣積體電路公司,它的創(chuàng)始人張忠謀也被譽(yù)為“晶體片加工之父”。⒛世紀(jì)90年代之后,集成電路制造向高度專業(yè)化的轉(zhuǎn)化成為一種趨勢,開始形成電路設(shè)計、芯片制造、電路測試和芯片封裝4個相對獨(dú)立的行業(yè)。基于實(shí)際應(yīng)用需求而進(jìn)行的集成電路設(shè)計成為引領(lǐng)和推動微電子工藝高速發(fā)展的源動力,它不斷對工藝技術(shù)提出更高要求。這時芯片制造的橫向加工精度開始進(jìn)入亞微米范圍,出現(xiàn)了電子束光刻、X射線光刻、深紫外光刻工藝技術(shù);縱向加工精度也進(jìn)一步提高,出現(xiàn)了可生長幾個原子厚度外延層的分子束外延工藝、薄層氧化工藝和淺結(jié)摻雜技術(shù)等。在集成電路金屬互連I藝方面,從1985年起IBM公司(Intematlond Bussilrless Machilae Corpom―tlon)就開始研發(fā)用銅代替鋁作為超大規(guī)模集成電路多層金屬互連系統(tǒng)的工藝技術(shù),直到1998年才在諾發(fā)公司(Novdlus助stem)的協(xié)助下研制出了銅互連工藝,并將其應(yīng)用在實(shí)際的集成電路制造中,1999年蘋果公司(AplDle ColllpLtter,Illc.)也在⑽0MHz微處理器中采用了銅互連I藝。圍繞著銅互連產(chǎn)生了一系列芯片制造工藝的改進(jìn)技術(shù),如銅層電鍍技術(shù)、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)等。