鍺、硅、砷化鎵是微電子產(chǎn)品中使用最多的半導(dǎo)體襯底材料。鍺使用得最早,在微電NCP1406SNT1G子產(chǎn)品剛剛出現(xiàn)時就用其作為半導(dǎo)體器件及最初的小規(guī)模集成電路的襯底材料,目前除少量分立器件采用鍺外,在其他產(chǎn)品中已很少看到用鍺作為襯底材料的微電子產(chǎn)品。砷化鎵是當(dāng)前應(yīng)用最多的化合物半導(dǎo)體襯底材料,主要作為中低規(guī)模集成度的高速電路或超過吉赫茲的模擬電路的襯底材料。硅是微電子產(chǎn)品中應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體襯底材料,無論在大功率器件上,還是在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路,或是其他微電子產(chǎn)品上,都普遍使用硅單晶作為襯底材料。人們對硅的研究最為深人,作為襯底材料――硅單晶片的制備工藝也最為成熟.

   在這一單元,首先介紹硅單晶材料的性質(zhì)、結(jié)構(gòu)特點,從而使讀者了解硅單晶為何會成為微電子產(chǎn)品中采用最多的襯底材料。然后,介紹單晶硅錠的二種主要拉制方法,即直拉法、磁控直拉法、懸浮區(qū)熔法,并介紹硅片的制各及檢測方法。最后,介紹氣相外延硅工藝的原理、方法,以及分子束外延工藝。