微電子丁藝使用的襯底硅片既有本征型的,又有摻雜型的,根據(jù)不同微電子產(chǎn)品r藝特點(diǎn),選用K4S561632J-UC75特定導(dǎo)電類型和電阻率的硅片作為襯底材料。因此,在單晶生長(zhǎng)時(shí),需要在硅錠中摻人一定量的特定Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)。

   硅錠摻雜方法主要有3種:液相摻雜,氣相摻雜,中子嬗變摻雜。

   液相摻雜是在單晶生長(zhǎng)過(guò)程中最常用的摻雜方法,有兩種摻雜方式:直接摻雜和母合金摻雜。直接摻雜是指將所需雜質(zhì)單質(zhì)按劑量直接加人到坩堝的多晶硅中,這種方法適用于制備重?fù)诫s的硅錠。母合金摻雜是指將雜質(zhì)元素先制成硅的合金,如磷硅合金、硼硅合金,然后,再按照所需的劑量將合金加入到坩堝的多晶硅中,這種方法適用于制備輕摻雜和中等濃度摻雜硅錠。

   采用母合金摻雜方式,在雜質(zhì)劑量很少時(shí),可以提高摻雜劑量的精度。例如,生長(zhǎng)電阻率為1Ω・cm的Ⅱ⒊,多晶硅質(zhì)量為Ws=5o kgr,雜質(zhì)為砷,求需摻人砷的劑量。