單晶硅在室溫(300K)時(shí),。由晶格常數(shù)可以計(jì)算出單晶硅的原子密度。一個(gè)晶胞 體積為瀘,立NCP5007SNT1G方單元頂點(diǎn)有8個(gè)原子,每個(gè)原子都屬于8個(gè)晶胞所共有,所以一個(gè)晶胞頂點(diǎn)的原子數(shù)就是⒈立方單元面心原子是6個(gè),而每個(gè)原子屬于兩個(gè)晶胞所共有,所以一個(gè)晶胞面心的原子數(shù)就是3;只有位于立方單元空間(體)又寸角線上的4個(gè)原子完全屬于一個(gè)晶胞所有。因此,一個(gè)硅晶胞包含的原子數(shù)是1+3+4=8個(gè)。

   由晶胞的晶格常數(shù)和原子間夾角能計(jì)算出硅晶體中原子之問(wèn)的最小間距(即正四面體中心原子到頂角原子的距離,也就是晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的四分之一)為雨α/4。

   假設(shè)硅晶體中原子為剛性球體,并以密堆積方式排列,把原子之間的最小間距看做是兩個(gè)原子直接接觸,可以計(jì)算出晶體中原子的“空間利用率”。計(jì)算可得原子半徑為^沔夕/8,用硅原子的體積4πr。i/3比上每個(gè)原子在晶體中所占的體積就得到硅晶體的空間利用率。