半導(dǎo)體芯片制作過程中有許多熱處理的步驟,如雜質(zhì)激活、熱擴(kuò)散、金屬合金化、氧化生R5F61527FPV長或沉積等。但制作深亞微米特征尺寸的超大規(guī)模集成電路,關(guān)鍵要獲得極淺的pn結(jié)。雖然改變離子注的能量即可控制結(jié)深,但離子注人后,采用傳統(tǒng)的擴(kuò)散爐高溫長時(shí)間退火I藝,會(huì)造成注人離子的嚴(yán)重再擴(kuò)散。而且當(dāng)設(shè)計(jì)幾何尺寸小到0.35um、硅片直徑從150mm增至200mm甚至更大時(shí),傳統(tǒng)的熱處理爐不能完全滿足工藝的要求。在這種情況下,只有R'ΓP I藝的高溫短時(shí)間退火才能既保持離子注入原有的分布,又能滿足超大規(guī)模集成電路的要求。

   RTP是將晶片快速加熱到設(shè)定溫度,進(jìn)行短時(shí)間快速熱處理的方法,熱處理時(shí)間為10→~102s。過去幾年問,RTP已逐漸成為微電子產(chǎn)品生產(chǎn)中必不可少的一項(xiàng)I藝,用于快速熱氧化(RaⅡd Thermd O妯daooll,RT())、離子注入后的退火、金屬硅化物的形成和快速熱化學(xué)薄膜淀積。RTP能快速地將單個(gè)硅片加熱到高溫,避免有害雜質(zhì)的擴(kuò)散,減少金屬污染,防止器件結(jié)構(gòu)的變形和不必要的邊緣效應(yīng),而且其溫度控制比較精確,適合于制造高精度、特征線寬較小的集成電路。