這一單元包括三方面內(nèi)容:第9章光刻工藝,介紹硅片上薄膜圖形復(fù)制工藝;第10章光刻技術(shù),PMBS3906介紹光刻工藝所用光刻版、光刻膠、光刻設(shè)備及光刻技術(shù)發(fā)展趨勢(shì);第11章刻蝕,介紹干法和濕法薄膜刻蝕工藝。

   半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,現(xiàn)在仍繼續(xù)遵循摩爾(Moore)定律保持著強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì),硅片直徑已達(dá)300mm,并不斷在向450mm邁進(jìn)。據(jù)預(yù)測(cè),在新技術(shù)推動(dòng)下到2014年直徑將達(dá)到遮50mm。大尺寸、細(xì)線寬、高精度、高效率、低成本成為IC產(chǎn)品發(fā)展的趨勢(shì)。在半導(dǎo)體制造技術(shù)中,最為關(guān)鍵的是用于電路圖形生成和復(fù)制的光刻技術(shù),光刻技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā),在每一代集成電路技術(shù)的更新中都扮演著技術(shù)先導(dǎo)的角色。光刻技術(shù)在整個(gè)產(chǎn)品制造中是重要的經(jīng)濟(jì)影響因子,光刻成本占據(jù)了整個(gè)制造成本的35%,光刻也是決定了集成電路按照摩爾定律發(fā)展的一個(gè)重要原因,如果沒(méi)有光刻技術(shù)的進(jìn)步,集成電路就不可能從微米進(jìn)人深亞微米再進(jìn)人納米時(shí)代。所以說(shuō)光刻技術(shù)的先進(jìn)程度也就決定了半導(dǎo)體制造技術(shù)水平的高低。隨著集成度的不斷提高,光刻技術(shù)也面臨著越來(lái)越多的難題。