圖103所示為掩模板從設(shè)計(jì)到成形的制作流程。當(dāng)設(shè)計(jì)人員將線路設(shè)計(jì)好且測(cè)試邏輯模式無(wú)誤后,A1020BPL84C將此線路交由計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)人員,轉(zhuǎn)換為集成電路制造圖形,并對(duì)布局排列做出最佳的安排,在檢查沒(méi)有問(wèn)題后,再將儲(chǔ)存的圖形轉(zhuǎn)換成磁帶數(shù)據(jù),此磁帶交給掩模板制造工段,作為制作掩模板的根據(jù)。

    硅平面晶體管或集成電路掩模板的制作,一般來(lái)講,要經(jīng)過(guò)原圖繪制(包括版圖繪制和刻分層圖)、初縮、精縮兼分步重復(fù)、復(fù)印陰版和復(fù)印陽(yáng)版等幾步。掩模板制造人員根據(jù)圖形產(chǎn)生的磁帶數(shù)據(jù),再加上不同的應(yīng)用需求及規(guī)格,會(huì)選用不同的制作流程。如圖10邊所示是一般集成電路的制版工藝流程示意圖。

    ①版圖繪制:在版圖設(shè)計(jì)完成后,一般將其放大100~1000倍(通常為500倍),在坐標(biāo)紙上畫(huà)出版圖總圖。

    ②刻分層圖:生產(chǎn)過(guò)程中需要幾次光刻版,總圖上就含有幾個(gè)層次的圖形。為了分層制出各次光刻版,首先分別在表面貼有紅色膜的透明聚酯塑料膠片(稱為紅膜)的紅色薄膜層上刻出各個(gè)層次的圖形,揭掉不要的部分,形成紅膜表示的各層次圖形。這一步叉稱為刻紅膜。

   ③初縮:對(duì)紅膜圖形進(jìn)行第一次縮小,得到大小為最終圖形十倍的各層初縮版。其過(guò)程與照相完全一樣。

   ④精縮兼分布重復(fù):一個(gè)大圓片硅片上包含有成百上千的管`心,所用的光刻版上當(dāng)然就應(yīng)重復(fù)排列有成百上千個(gè)相同的圖形。因此本步任務(wù)有兩個(gè),一是將初縮版的圖形進(jìn)一步縮小為最終的實(shí)際大小,并同時(shí)進(jìn)行分布重復(fù)。二是得到可用于光刻的正式掩模板。直接由精縮兼分步重復(fù)得到的稱為母版。

    ⑤復(fù)印:在集成電路生產(chǎn)的光刻過(guò)程中,掩模板會(huì)受磨損產(chǎn)生傷痕。使用一定次數(shù)后就要換用新掩模板。因此同一掩膜I作版的需要數(shù)量是很大的,若每次I作版都采用精縮得到的母版是很不經(jīng)濟(jì)的。因此在得到母版后要采用復(fù)印技術(shù)復(fù)制多塊工作掩模板供光刻使用。