復(fù)雜性:在靜電N76E616AL48放電的情況下,起放電電源是空間電荷,因而它所儲(chǔ)存的能量是有限的,不像外加電源那樣具有持續(xù)放電的能力,故它僅能提供短暫發(fā)生的局部擊穿能量。雖然靜電放電的能量較小,但其放電波形很復(fù)雜,控制起來也比較麻煩。另外,LED極為精細(xì),失效分析難度大,使人容易誤把靜電損傷失效當(dāng)作其他失效,在對(duì)靜電放電損害未充分認(rèn)識(shí)之前,常常歸咎于早期失效或情況不明的失效,從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因。

   嚴(yán)重性:EsD潛在性失效只引起部分參數(shù)劣變,如果不超過合格范圍,就意味著被損傷的LED可能毫無察覺地通過最后測(cè)試,導(dǎo)致出現(xiàn)過早期失效,這對(duì)各層次的制造商來說,其結(jié)果是最損聲譽(yù)的。

  EsD以極高的強(qiáng)度很迅速地發(fā)生,放電電流流經(jīng)LED的PN結(jié)時(shí),產(chǎn)生的焦耳熱使芯片PN兩極之間局部介質(zhì)熔融,造成PN結(jié)短路或漏電,對(duì)失效器件解剖分析,一般在高倍金相顯微鏡下,可以觀察到引起即時(shí)的和不可逆轉(zhuǎn)的損壞擊穿點(diǎn),但是受到解剖手段和器件封裝材料的限制,經(jīng)常因?yàn)樾酒廴净驒C(jī)械損傷等原囚,而不能確定擊穿點(diǎn)。反向放電時(shí),電流較正向放電集中,功率密度大,囚此LED反向放電EsD失效閾值較正向低得多。