靜電放電引起發(fā)光二極管PN結(jié)的擊穿,是LED器件封裝和應用組裝工業(yè)中靜電危害的主要方式。 N28F010-150靜電放電對LED的危害非常大,造成8%~33%的良率損失,而且其損傷不是直接表現(xiàn)出來,使得對EsD損傷很難防護。靜電損傷具有如下特點。

   (1)隱蔽性:人體不能直接感知靜電,即使發(fā)生靜電放電,人體也不一定能有電擊的感覺,這是因為人體感知的靜電放電電壓為2~3kV。大多數(shù)情況都是通過測試或者實際應用,才能發(fā)現(xiàn)LED器件已受靜電損傷。

   (2)潛伏性:靜電放電可能造成LED突發(fā)性失效或潛在性失效。突發(fā)性失效造成LED的永久性失效:短路。潛在性失效則可使LED的性能參數(shù)劣化,例如漏電流加大,一般GaN基LED受到靜電損傷后所形成的隱患并無任何方法可治愈。

   (3)隨機性:從LED芯片生產(chǎn)后一直到它損壞以前所有的過程都受到靜電的威脅,而這些靜電的產(chǎn)生也具有隨機性。但是由于芯片的尺寸極小,約0.2mm×0.2mm,電極之間的距離就更小,如果處在靜電場屮,兩極之間的電勢差別接近于零;電極的微小面積,局限了接觸靜電放電的狀態(tài)。因此,芯片受到靜電損傷的概率比器件要小得多。