一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻的現(xiàn)象稱為場(chǎng)效應(yīng)。利用場(chǎng)效應(yīng),使自OB2535CPA身具有放大信號(hào)功能的器件稱為場(chǎng)效應(yīng)器件。在這種器件薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏�？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)器件柵、源漏以及溝道結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為以下幾種:①采用金屬一絕緣體一半導(dǎo)體的系統(tǒng)構(gòu)成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Meta1C)xide Semi∞nductor Field Effect Transistor,MOSFET);②采用PN結(jié)構(gòu)成柵極的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(J unction Fiel扯Effcct Transistor,JFET);③采用金屬與半導(dǎo)體接觸肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)成柵極的MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管;④高電子遷移率晶體管 (HEMT),這種器件在結(jié)構(gòu)上與MESFET類似,但是在工作機(jī)理上卻更接近于M(,SFET。

   無(wú)結(jié)金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junctionless Field Effect Transistor,JI'FET);

   量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

   本節(jié)我們將主要討論N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nMOsFET)或N溝道MOSFET。