在淀積磷硅玻璃的反應(yīng)氣體中再摻人硼源(如B2HⅡ),可以形成B:03?∶PIC12LF1840T48A元氧化物薄膜系統(tǒng)PSG。BPSG較PSG有更低的軟化溫度。BPSG的流動性取決于薄膜的組分、退火丁藝溫度、時問,以及環(huán)境氣氛。BPSG薄膜的回流平坦化退火溫度一般在850℃,最低可750℃。實驗表明,在BPSG中,當磷的濃度達到5wt%之后,即使再增加磷的濃度也不會降低BPSG的回流溫度了。而硼的濃度增大1%,所需回流溫度降低大約40℃。當硼的含量超過5wt%時,將發(fā)生結(jié)晶,形成硼酸根B2O3及磷酸根P20;的晶粒沉淀,薄膜的吸潮性增強,并且變得非常不穩(wěn)定,甚至導致在回流過程中生成難溶性的BP04,成為玻璃體中的缺陷。因此,BPSG中硼的濃度也不應(yīng)超過5wt%。

    在CˇD si()2中除了故意摻入的雜質(zhì)之外,以PECX/^D方法淀積的氧化硅中通常還含有一定濃度的氫,甚至會含有氮,氧與硅的劑量不是嚴格的化學計量比。H和N在氧化硅中都不是網(wǎng)絡(luò)形成 毗%:是指重量百分比;后面的dt%是指原子百分比。雜質(zhì)。H在⒏―O四面體網(wǎng)絡(luò)中以⒊―H、⒊―O~H、⒊―O―OH形式存在,而N則以N―0等形式存在,這都將導致氧化硅密度下降、薄膜質(zhì)地疏松和穩(wěn)定性降低�？梢酝ㄟ^高溫退火來排除氫,使薄膜致密化,但是氮較難去除。

    另外,即使是相同種類、同種淀積方法,淀積溫度也相近,但所采用的反應(yīng)劑不同時,淀積的二氧化硅薄膜的特性也有所不同,如在7.2.3節(jié)中介紹的反應(yīng)劑到達襯底后的再發(fā)射特性和表面遷移特性直接關(guān)系到薄膜臺階覆蓋能力。而反應(yīng)劑,特別是其中的硅源,不同硅源與襯底表面的黏滯系數(shù)相差很大,黏滯系數(shù)越小其再發(fā)射和表面遷移能力就越強,薄膜的臺階覆蓋能力也就越強。這在實際I藝及應(yīng)用中也必須考慮。

   目前,常用的反應(yīng)劑有二種:硅烷系統(tǒng),主要是sH1/O2、⒏H犭/N20;正硅酸乙酯E記為TEC)s,分子式為s(oH5O)1]系統(tǒng),主要是TEOS/02、TEOS/O3;二氯硅烷系統(tǒng),有SlH2C12/N20。在上述反應(yīng)劑系統(tǒng)中,硅源TEOS與襯底的黏滯系數(shù)小,約比硅烷小一個數(shù)量級。所以再發(fā)射能力和表面遷移能力都強,采用TEOS為硅源淀積的二氧化硅薄膜的臺階覆蓋特性好于以硅烷為硅源的反應(yīng)劑系統(tǒng)。需要在有高深寬比微結(jié)構(gòu)的襯底上淀積氧化層時,為了得到更好的合階覆蓋特性,一定要選擇TEOS為硅源。