硅片垂直密集擺放在石英舟上
發(fā)布時間:2017/10/15 18:14:06 訪問次數(shù):648
LPC、①是制備s3\薄膜的主要方法之一,它也是中溫工藝,比H℃Ⅵ)s@中溫工藝溫度要高約100℃,有較好的臺階覆蓋特性和較少的粒子污染。PIC12LF1840T48A然而u℃Ⅵ)戰(zhàn)Nl薄膜的內(nèi)應(yīng)力大,約為105N/⑾2,幾乎比u℃-sQ高出一個數(shù)量級。高應(yīng)力可使厚度超過⒛O llm的氮化硅薄膜發(fā)生龜裂。LPCX/^lD s屯N4一般是作為雜質(zhì)擴散的掩膜和選擇性氧化的掩膜。另外,在一些特殊場合,作為腐蝕掩膜,如在進行單晶硅的KOH各向異性腐蝕時,多是采用氮化硅作為腐蝕掩膜。
LPC、⑩si3N4的主要I藝流程為:準備→清洗→擺片→升溫和抽真空→生長→停爐。在淀積之前對反應(yīng)室必須進行清理準備,去除以往使用過程中在石英舟和反應(yīng)室器壁上吸附的顆粒物,這和外延工藝的前處理一樣。
LPC、①多為熱壁式反應(yīng)器,硅片垂直密集擺放在石英舟上。為使各處反應(yīng)氣體分壓相等,以保證淀積薄膜的厚度均勻,硅片擺放方向、間距應(yīng)嚴格一致。升溫的同時抽真空,真空度和溫度達到控制要求之后,先通人稀釋氣體,一般是氮氣,將反應(yīng)器中的殘余空氣排出,再通入反應(yīng)氣體;反應(yīng)氣體一般需要稀釋,以降低淀積速率,使其可控。
淀積LPC`0si3№薄膜常用的硅源主要有sH2C1和SlH1。
LPC、①是制備s3\薄膜的主要方法之一,它也是中溫工藝,比H℃Ⅵ)s@中溫工藝溫度要高約100℃,有較好的臺階覆蓋特性和較少的粒子污染。PIC12LF1840T48A然而u℃Ⅵ)戰(zhàn)Nl薄膜的內(nèi)應(yīng)力大,約為105N/⑾2,幾乎比u℃-sQ高出一個數(shù)量級。高應(yīng)力可使厚度超過⒛O llm的氮化硅薄膜發(fā)生龜裂。LPCX/^lD s屯N4一般是作為雜質(zhì)擴散的掩膜和選擇性氧化的掩膜。另外,在一些特殊場合,作為腐蝕掩膜,如在進行單晶硅的KOH各向異性腐蝕時,多是采用氮化硅作為腐蝕掩膜。
LPC、⑩si3N4的主要I藝流程為:準備→清洗→擺片→升溫和抽真空→生長→停爐。在淀積之前對反應(yīng)室必須進行清理準備,去除以往使用過程中在石英舟和反應(yīng)室器壁上吸附的顆粒物,這和外延工藝的前處理一樣。
LPC、①多為熱壁式反應(yīng)器,硅片垂直密集擺放在石英舟上。為使各處反應(yīng)氣體分壓相等,以保證淀積薄膜的厚度均勻,硅片擺放方向、間距應(yīng)嚴格一致。升溫的同時抽真空,真空度和溫度達到控制要求之后,先通人稀釋氣體,一般是氮氣,將反應(yīng)器中的殘余空氣排出,再通入反應(yīng)氣體;反應(yīng)氣體一般需要稀釋,以降低淀積速率,使其可控。
淀積LPC`0si3№薄膜常用的硅源主要有sH2C1和SlH1。
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