氮化硅薄膜可以通過化學(xué)氣相沉積和原子層沉積法的方法獲得,化學(xué)氣相沉積法一般有低壓化學(xué)氣相沉積氧化工藝、增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相層積等, N4551常見的機(jī)器有多片垂直氮化沉積爐管(TEI'或KE)、單片腔體式的沉積機(jī)器(應(yīng)用材料公司)和原子層沉積機(jī)器(KE)。但原子層沉積法獲得的氮化膜使用比較少。

   化學(xué)氣相沉積法使用的氮源一般為NH3,硅源有⒏H4,SiH2C12(dichlorosilane,DCS),S1C16(hexachlorodisilane,HCD),BTBAS(二丁基胺硅烷,⒏s(tertiarybutylamino)silicate),TDMAS(t⒒s(dimethylami11o)silane)等[21。通過LPCVD多片垂直爐管或單片機(jī)器得到氮化硅薄膜的方法有:

   DCS+NH3―→⒏3N1(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài)×600~800℃)

   BTBAs+NH3―→S圮N1(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài)×450~600℃)

   通過增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相層積PEC、0單片腔體式的沉積機(jī)器得到氮化硅薄膜的方法有:⒏H4+NH3―→S噸N1(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài)×450~600℃)兩種獲得氮化膜的方法的主要優(yōu)缺點(diǎn)如表4,3所示。

   表4.3 化學(xué)氣相沉積法和原子層沉積法的主要優(yōu)缺點(diǎn)