在熱氧化工藝中,主要使N2T6716用的氧源是氣體氧氣、水等,而硅源則是單晶硅襯底或多晶硅、非晶硅等。氧氣會消耗硅(Si),多晶硅(Poly)產(chǎn)生氧化,通常二氧化硅的厚度會消耗0.54倍的硅,而消耗的多晶硅則相對少些。這個特性決定了熱氧化工藝只能應(yīng)用在側(cè)墻工藝形成之前的氧化硅薄膜中。同時熱氧化工藝的氧化速率受晶相(111)100)、雜質(zhì)含量、水汽、氯含量等影響,它們都使得氧化速率變快[1]。具體的方法有:

   Si(固態(tài))+O2(氣態(tài))――>Si()2(固態(tài)×干氧法)

   Si(固態(tài))+H20(氣態(tài))――)SiO2(固態(tài))+2H2(濕氧法)

   化學氣相沉積法使用的氧源有02,03,N20等,硅源有TEOS(tetraethyl or tllo⒍hcate,⒏(OC2H5)4),SiH1,BTBAS(二丁基胺矽烷,Bls(tertiarybutylamino)),TDMAS(Tris(Dimetll￠amin。)引⒛e)等「⒉3]。通過LPCVD多片垂直爐管得到氧化硅薄膜的方法有:

TEOS(液態(tài))――>SiO2(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài)×550~800℃)⒏H4(氣態(tài))+N20(氣態(tài))――>SiO2(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài))(650~900℃)BTBAS+02/C)3―→⒏O2(固態(tài))+副產(chǎn)物(氣態(tài)×450~600℃)通過單片單腔體的沉積機器獲得氧化硅薄膜的方法有TEOS+03、SiH4+O2等,一般的溫度范圍為400~550℃。