光敏三極管可輸出電流
發(fā)布時(shí)間:2017/10/20 21:14:01 訪問次數(shù):1061
對(duì)于晶體三極管來說,當(dāng)基極有輸入電流J:時(shí),在集電極就可得到電流Jc,r:和Jc的比值稱為三極管的值。類似的,對(duì)于二極N8397BH管、三極管型光電耦合器來說,當(dāng)光敏二極管通以正向電流△時(shí),光敏三極管可輸出電流Jc,Jc和fF的比值就是光電耦合器的卩值。從表面上看,晶體管的卩值和光電耦合器的卩值似乎具有同樣的意義,都是輸人和輸出電流之比。但是,它們有著本質(zhì)上的差別。
在晶體三極管中,基極電流r:是基區(qū)的空穴和很小一部分發(fā)射極電流rE復(fù)合而形成的,JE的大部分形成Jc。因此,`c比J:大得多,三極管的卩值`總是大于1。然而在光電耦合器中,光敏三極管基區(qū)的空穴是由于光激發(fā)而形成的。一般來說,光激發(fā)效率都比較低,即JF一般都大于rc。因此,在光敏三極管中不加復(fù)合放大時(shí),光電耦合器的卩值總是小于1。
為此,把二極管的值稱作電流放大倍數(shù),而把光電耦合器的卩值稱為電流傳輸比(以百分?jǐn)?shù)表示),以資區(qū)別。在無專用儀器的情況下,分別測(cè)量fc和JF,以求光電耦合器的電流傳輸比卩。應(yīng)用晶體管特性圖示儀可以方便地測(cè)量光電耦合器的電流傳輸比卩;把光電二極管的負(fù)極E1和光敏三極管的發(fā)射極E2接到圖示儀的“E”端,光敏二極管的正極F接到圖示儀的“B”端,就可按照測(cè)量NPN小功率晶體管的測(cè)試步驟來測(cè)量。不過由于光電耦合器的卩值小于1,“f:”的擋位放在比測(cè)量小功率晶體管卩值時(shí)大得多的位置上。產(chǎn)品手冊(cè)上提供的光電耦合器的電流傳輸比卩是典型值,實(shí)際上卩值是隨JF大小有所變化的,在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)按實(shí)際使用的fF測(cè)得卩,作為計(jì)算依據(jù)。
對(duì)于晶體三極管來說,當(dāng)基極有輸入電流J:時(shí),在集電極就可得到電流Jc,r:和Jc的比值稱為三極管的值。類似的,對(duì)于二極N8397BH管、三極管型光電耦合器來說,當(dāng)光敏二極管通以正向電流△時(shí),光敏三極管可輸出電流Jc,Jc和fF的比值就是光電耦合器的卩值。從表面上看,晶體管的卩值和光電耦合器的卩值似乎具有同樣的意義,都是輸人和輸出電流之比。但是,它們有著本質(zhì)上的差別。
在晶體三極管中,基極電流r:是基區(qū)的空穴和很小一部分發(fā)射極電流rE復(fù)合而形成的,JE的大部分形成Jc。因此,`c比J:大得多,三極管的卩值`總是大于1。然而在光電耦合器中,光敏三極管基區(qū)的空穴是由于光激發(fā)而形成的。一般來說,光激發(fā)效率都比較低,即JF一般都大于rc。因此,在光敏三極管中不加復(fù)合放大時(shí),光電耦合器的卩值總是小于1。
為此,把二極管的值稱作電流放大倍數(shù),而把光電耦合器的卩值稱為電流傳輸比(以百分?jǐn)?shù)表示),以資區(qū)別。在無專用儀器的情況下,分別測(cè)量fc和JF,以求光電耦合器的電流傳輸比卩。應(yīng)用晶體管特性圖示儀可以方便地測(cè)量光電耦合器的電流傳輸比卩;把光電二極管的負(fù)極E1和光敏三極管的發(fā)射極E2接到圖示儀的“E”端,光敏二極管的正極F接到圖示儀的“B”端,就可按照測(cè)量NPN小功率晶體管的測(cè)試步驟來測(cè)量。不過由于光電耦合器的卩值小于1,“f:”的擋位放在比測(cè)量小功率晶體管卩值時(shí)大得多的位置上。產(chǎn)品手冊(cè)上提供的光電耦合器的電流傳輸比卩是典型值,實(shí)際上卩值是隨JF大小有所變化的,在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)按實(shí)際使用的fF測(cè)得卩,作為計(jì)算依據(jù)。
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