在通用型光電耦合器中,接收器是一只硅光電半導(dǎo)體管,因此在B-E之間只有一個硅PN結(jié)。達林頓型則不然,它由復(fù)合管構(gòu)成,兩個硅PN結(jié)串聯(lián)成復(fù)合的發(fā)射結(jié)。 NAND01GR3B2CZA6E是達林頓型光電耦合器典型產(chǎn)品4N30的外形及內(nèi)部電路。根據(jù)上述差別,很容易將通用型與達林頓型光電耦合器區(qū)分開。具體方法是,將萬用表撥至R×100擋,黑表筆接B極,紅表筆接E極,采用讀取電壓法求出發(fā)射結(jié)正向電壓‰E。若‰E=0.55~0・7Ⅴ,就是達林頓型光電耦合器。

   通用型與達林頓型光電耦合的主要區(qū)別是接收管的電流放大系數(shù)不同。前者的凡FE為幾十倍至幾百倍,后者可達數(shù)千倍,二者相差1~2個數(shù)量級。囚此,只要準確測量出九FE值, 即可加以區(qū)分。檢測中注意事項有:

   (1)因為達林頓型光電耦合器的出沱的格數(shù)是本方法關(guān)鍵所在,

調(diào)準.

   (2)若4N30中的發(fā)射管損壞,但接收管未發(fā)現(xiàn)故障,則可代替超卩管使用。同理,倘若4N35中的接收管完好無損,也可作為普通硅NPN晶體管使用。

   (3)對于無基極引線的通用型及達林頓型光電耦合器,適用本方法。但應(yīng)采用測電流傳輸比CTR的方法加以區(qū)分。

   實例:用500型萬用表的R×100擋分別測量4N35、4NsO型光電耦合器的‰E,測量數(shù)據(jù)及結(jié)論列人表⒉5中。