與具有壓縮薄膜應力的HDP不同,空白片沉積的HARP薄膜具有拉伸應力,經(jīng)過高溫退火后, K4H511638J-LCCC應力由拉伸轉(zhuǎn)為壓縮(見圖4,23)。但是對于圖形化的硅片,AMAJ3]通過測定圖 形化后硅片的彎曲程度,分別得到薄膜沉積后,退火后以及化學機械拋光后的硅片所受應力狀態(tài),如圖4.24所示。沉積后與退火后結(jié)果與空白片結(jié)果類似,但是機械拋光后HDP會產(chǎn)生一個非常高的壓應力,但是HARP會對有源區(qū)產(chǎn)生拉應力,而且退火溫度也會對拉應力大小產(chǎn)生影響。

   由HARP STI引起的拉伸應變可能是由兩方面的原因造成的。對該應力的回滯研究(見圖4,23)表明當退火溫度上升時,HARP薄膜應力將變得更加抗延伸,這將給活性⒏帶來拉伸應變:即使冷卻后HARP薄膜壓縮在一起時,這種張力應變?nèi)匀槐挥洃洸⒈Ａ粼冖?/span>中。其次,HARP薄膜將在退火后收縮,但HDP薄膜不會。退火后HARP薄膜被限制在溝槽中進行收縮,為⒏提供了另一種強大的拉伸應變,這也進一步增強了NFET和PFET的載流子移動性,尤其是窄寬度晶體管器件[3」。這也是采用HARP代替HDP的另一優(yōu)勢。