改善光學鄰近效應修正的精確度和可靠性。光學鄰近效應修正的基本流程是:在建立模型時,先將一些校準圖形,如圖7.32所示設計在測試掩膜版上。S912B32E4VFUE8再通過使用硅片曝光的方式得到在硅片上光刻膠的圖形尺寸,然后對模型進行定標(定出模型的相關參量),同時算出修正量。再根據(jù)實際圖形同定標圖形的相似性,根據(jù)模型對其進行修正。光學鄰近效應修正的精度取決于以下因素:硅片線寬數(shù)據(jù)測量精確度、模型擬合精確度以及模型對電路圖形修正算法的合理性和可靠性,如采樣(fragmenta⒒on)方法、采樣點密度的選取、修正步長等。對于光刻膠的模型,一般有簡單的包括高斯擴散的閾值模型(threshold m°dcl withgaussian diffusion)和可變閾值模型(vahable thresh°ld resist models)[明。前者假設光刻膠為光開關,當光照強度達到一定閾值時,光刻膠在顯影液中的溶解率發(fā)生突變。后者的產(chǎn)生是由于前者同實驗數(shù)據(jù)的偏差。后者認為,光刻膠是一個復雜的系統(tǒng),它的反應閾值同最大光強和最大光強的梯度(會造成光敏感劑的定向擴散)都有關系,而且可能是非線性關系。

   而且后者還可以描述一些刻蝕方面的在密集到孤立圖形上的線寬偏差。當然此種模型在物理上并不能十分清楚地展現(xiàn)物理圖像。一般來講,閾值模型加上高斯擴散物理圖像很清楚,人們對它的使用比較多,尤其在工藝開發(fā)和工藝優(yōu)化工作上。在光學鄰近效應修正上,由于

需要在很短時間內建立一個精確到幾個納米的模型,加入一些額外的、無法講清楚物理含義的參量就無法避免了,也是一種權宜之計。當然,隨著光刻工藝的不斷發(fā)展,光刻鄰近效應 斷發(fā)展,吸收入具有物理含義的參量。為了增加模型的精確度,可以通過增加(比如3~5次),擴大測量圖形的代表性,也就是提高定標(gauge)圖形,如同電路設計圖形在幾何形狀上的相關和相似性。在模型擬合過程中,盡量使

及將擬合誤差反饋給光刻工程師進行分析,排除可能發(fā)生的錯誤。有關光學的內容將在另外的章節(jié)做深人介紹。