SEM展示從Cu到Ta刻蝕輪廓
發(fā)布時間:2017/11/7 21:36:43 訪問次數(shù):713
后段制程中,銅金屬W-117S1P-18內(nèi)連線引人,用于替代鋁。為避免與非銅區(qū)域機臺交叉污染和阻止器件性能的降低,必須強制執(zhí)行晶背去污染清洗。晶片背面氮化硅的出現(xiàn)會限制銅的擴散。C,Richard等人評估各種化學(xué)品對晶背銅的清洗,并報道DHF和DHF/H2o2是最理想的、較少氮化硅保護膜損失的化學(xué)品,如圖9.13所示。
晶片邊緣污染去除失敗,會導(dǎo)致嚴重的交叉污染,像后續(xù)CMP制程會把污染從品片邊緣帶到其他區(qū)域。I'ysaght等人披露,在單片旋噴清洗機上使用混合酸(HsPΘ|:H202:HCl:H2()),可以精確控制去除銅0,5mm到3,0mm,并得到一個在Cu與Ta之問的理想斜坡(見圖9.14)。單片旋轉(zhuǎn)噴清洗機被廣泛應(yīng)用于晶片邊緣污染控制,同時沒有化學(xué)品傷及晶片正面。
后段制程中,銅金屬W-117S1P-18內(nèi)連線引人,用于替代鋁。為避免與非銅區(qū)域機臺交叉污染和阻止器件性能的降低,必須強制執(zhí)行晶背去污染清洗。晶片背面氮化硅的出現(xiàn)會限制銅的擴散。C,Richard等人評估各種化學(xué)品對晶背銅的清洗,并報道DHF和DHF/H2o2是最理想的、較少氮化硅保護膜損失的化學(xué)品,如圖9.13所示。
晶片邊緣污染去除失敗,會導(dǎo)致嚴重的交叉污染,像后續(xù)CMP制程會把污染從品片邊緣帶到其他區(qū)域。I'ysaght等人披露,在單片旋噴清洗機上使用混合酸(HsPΘ|:H202:HCl:H2()),可以精確控制去除銅0,5mm到3,0mm,并得到一個在Cu與Ta之問的理想斜坡(見圖9.14)。單片旋轉(zhuǎn)噴清洗機被廣泛應(yīng)用于晶片邊緣污染控制,同時沒有化學(xué)品傷及晶片正面。
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