我們對在全芯片OPC驗(yàn)證中檢查出來的熱點(diǎn)進(jìn)行了MEEF分析。原則上,基于任R10706NB何設(shè)計的缺陷列表可以用于分析MEEF的敏感性,其思想是探測ΘPC的不相容邊沿以及過濾出最敏感的熱點(diǎn),這個軟件能夠進(jìn)行熱點(diǎn)的MEEF計算、存儲缺陷列表中對應(yīng)的MEEF值。因?yàn)镸EEF計算是針對缺陷列表而不是全芯片的設(shè)計,所以這個方法速度要比傳統(tǒng)方法快很多。使用交互式的圖形界面,具有高M(jìn)EEF比率(()PC后/()PC前)的缺陷能被過濾出來并進(jìn)行仔細(xì)研究。這里,采用和后OPC驗(yàn)證階段相同的光刻模型,不需要額外的負(fù)擔(dān)進(jìn)行數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。這些過濾出來的缺陷圖形可以存儲在圖形庫中,而且根據(jù)器件的類型不斷積累留作將來使用。圖13.6給出了整個I作流程。

   圖13.7 對于屬于設(shè)計圖形采用圖形搜索方法進(jìn)行篩杳的DFM流程并不總是這種情況。下面我們用兩個來白于不同層的例子來解釋這種例外。

   對一個65nm△藝節(jié)點(diǎn)的邏輯器件(M1層和多晶硅層)進(jìn)行后OIDC驗(yàn)證得到的高MEEF的熱點(diǎn)圖形被用于進(jìn)行熱點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)計,而且為了驗(yàn)證MEEF的變化,不同CD下類似的OPC不相容邊沿結(jié)構(gòu)也被產(chǎn)生出來。為了確保用于生產(chǎn)的OPC自的質(zhì)量,生產(chǎn)配方被用在經(jīng)過OPC處理過的那些測試圖形上。