流子濃度很大,而空間N74F32DT電荷區(qū)載流子濃度可忽略,所以pn結中電阻最大處為空間電荷區(qū),則外加偏壓基本都落在空間電荷區(qū)�？臻g電荷區(qū)總的電場為外加偏壓形成的電場與內(nèi)建電場的疊加。正向偏壓硨在空間電荷區(qū)產(chǎn)生的電場方向與內(nèi)建電場方向相反,原電場被減弱,則空間電荷區(qū)寬度減小,勢壘高度從平衡狀態(tài)的g‰下降到現(xiàn)在的∝‰-/+)°利用式(3.28),把平衡態(tài)時空間電荷區(qū)電勢差由‰改為‰-‰即可得到正偏時的空間電荷區(qū)寬度。反向偏壓L將產(chǎn)生與內(nèi)建電場相同的電場,因此pn結內(nèi)的電場進一步增強,空間電荷區(qū)寬度加寬,同時勢壘高度由g‰增加為∝‰+廴)。

   pn結加正偏電壓時,破壞了原零偏電壓時載流子的擴散和漂移運動的平衡,由于空間電荷區(qū)電場減小,載流子漂移運動被削弱,擴散電流大于漂移電流,產(chǎn)生電子從n型區(qū)到p型區(qū)及空穴從p型區(qū)到n型區(qū)的正向電流。電子從中性n型區(qū)越過空間電荷區(qū)后向p型區(qū)擴散,成為p型區(qū)的非平衡少數(shù)載流子,電子邊擴散邊與多數(shù)載流子空穴復合減少至消失。從p型區(qū)向n型區(qū)擴散的空穴亦然。正向偏壓越大,空間電荷區(qū)電場越小,空間電荷區(qū)越薄,勢壘高度越低,正向電流越大。

   pn結加反偏電壓時,空間電荷區(qū)電場增大,空間電荷區(qū)加寬,擴散和漂移運動的平衡破壞,載流子漂移運動增強,漂移電流大于擴散電流。這時n型中性區(qū)與空間電荷區(qū)邊界的空穴被空間電荷區(qū)的強電場驅向p型區(qū),同時p型中性區(qū)與空間電荷區(qū)邊界的電子被驅向n型區(qū)。當這些少數(shù)載流子被驅走后,中性區(qū)的少子就靠擴散運動來補充,這個過程形成了反偏電壓下的少數(shù)載流子的反向擴散電流,但是由于少數(shù)載流子的濃度很低,濃度梯度也很小,所以反向偏電壓下擴散電流很小。