一般光刻膠的分辨率問(wèn)題是波前到達(dá)光刻膠層。簡(jiǎn)單的截面圖像均勻箭頭顯示到達(dá)光線。 PA73M/883在波前的實(shí)際輻射具有方向和能量的混合，它們隨表面和垂直方向而變。這就是所謂的空氣中圖形( aerial  image)I‘副。用光學(xué)光刻技術(shù)解決二分之一和三分之一l_t)m的圖形需要的空氣中圖形管理和操作�？刂品椒ǚ譃槿箢I(lǐng)域：光學(xué)分辨率、光刻膠分辨率的限制和表面的問(wèn)題。四分之一個(gè)問(wèn)題是刻蝕精度。光刻膠分辨率與曝光光源和所用曝光系統(tǒng)密切相關(guān)。

   基本的光刻膠化學(xué)式已經(jīng)隨著生產(chǎn)控制，將化學(xué)性質(zhì)與波長(zhǎng)的匹配進(jìn)行改進(jìn)。

   化學(xué)放大( CA)光刻膠被認(rèn)為是（隨著將來(lái)的改進(jìn)）將光刻技術(shù)帶入90 nm節(jié)點(diǎn)及以后的基本平臺(tái)。如較早期的光刻膠，這些光刻膠基于光敏聚合物、光生酸劑( PAG)、溶解抑制劑、刻蝕阻擋層和酸不穩(wěn)定及可溶堿基團(tuán)。411。新光刻膠必須在嚴(yán)酷的等離子體刻蝕的環(huán)境中操作。它們不僅必須使圖形特征尺寸最小化，通常是柵，還要涉及處理成像密集模式和小金屬接觸孔。此外，隨著線條尺寸接近在光刻膠中的分子尺寸，刻蝕的線邊緣粗糙度(line edgeroughness，LER)變成了一個(gè)要素。