輻射電磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試方法
發(fā)布時(shí)間:2019/1/17 20:19:24 訪問(wèn)次數(shù):1423
輻射電磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試方法JM1aN-TMP-DC24V
測(cè)試時(shí)要用1kHz正弦波進(jìn)行幅度調(diào)制,調(diào)制深度為⒛%,調(diào)制)。將來(lái)有可能再增加一項(xiàng)鍵控調(diào)頻(歐共體標(biāo)準(zhǔn)已采用)` 參見(jiàn)圖B9(在早期的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中不需要調(diào)制頻率為⒛0Hz,占空比為⒈1。
(a)未調(diào)制的射頻信號(hào)t/I,P=28V[Fms=10v
(b)調(diào)制的射頻信號(hào)
圖B9 信號(hào)發(fā)生器的輸出電壓波形
測(cè)試在電波暗室中進(jìn)行(圖B10所示),用監(jiān)視器監(jiān)視試品的丁作情況(或從試品引出可以說(shuō)明試品工作狀態(tài)的信號(hào)至測(cè)定室,由專門儀器子以判定) 咯室內(nèi)有天線(包括天線的升降塔)、轉(zhuǎn)臺(tái)、試品及監(jiān)視器。I作人員、測(cè)定試品跬能的儀器 仿號(hào)發(fā)生器、功豐汁和汁算機(jī)等設(shè)各在測(cè)定室里。高頻功率放大器則放在功放室里:測(cè)試中、對(duì)試品妁布線非常i悼究.II i己錄在案.以便必要時(shí)重現(xiàn)測(cè)試結(jié)果。
輻射電磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試方法JM1aN-TMP-DC24V
測(cè)試時(shí)要用1kHz正弦波進(jìn)行幅度調(diào)制,調(diào)制深度為⒛%,調(diào)制)。將來(lái)有可能再增加一項(xiàng)鍵控調(diào)頻(歐共體標(biāo)準(zhǔn)已采用)` 參見(jiàn)圖B9(在早期的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中不需要調(diào)制頻率為⒛0Hz,占空比為⒈1。
(a)未調(diào)制的射頻信號(hào)t/I,P=28V[Fms=10v
(b)調(diào)制的射頻信號(hào)
圖B9 信號(hào)發(fā)生器的輸出電壓波形
測(cè)試在電波暗室中進(jìn)行(圖B10所示),用監(jiān)視器監(jiān)視試品的丁作情況(或從試品引出可以說(shuō)明試品工作狀態(tài)的信號(hào)至測(cè)定室,由專門儀器子以判定) 咯室內(nèi)有天線(包括天線的升降塔)、轉(zhuǎn)臺(tái)、試品及監(jiān)視器。I作人員、測(cè)定試品跬能的儀器 仿號(hào)發(fā)生器、功豐汁和汁算機(jī)等設(shè)各在測(cè)定室里。高頻功率放大器則放在功放室里:測(cè)試中、對(duì)試品妁布線非常i悼究.II i己錄在案.以便必要時(shí)重現(xiàn)測(cè)試結(jié)果。
熱門點(diǎn)擊
- PWM信號(hào)產(chǎn)生芯片采用KA3525A
- MLCT輻射躍遷概率取決于重金屬的軌道自旋耦
- LDO芯片前端增加的二極管并不能阻擋浪涌電流
- 本測(cè)試應(yīng)按ISO 1I452-9要求的步驟進(jìn)
- 選用器件時(shí)一定要注意器件的特性
- 高速時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片的負(fù)載通常較重
- 電壓跌落、短時(shí)中斷和電壓漸變的抗擾度測(cè)試目的
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