從某種意義上講,目前htel公司所謂的量子阱場效應(yīng)晶體管(QW FET)也是一種無結(jié)場效應(yīng)晶體管。M24C08-RMB6TG鑒于高遷移率CMOS技術(shù)的重大應(yīng)用前景,采用高遷移率Ⅱ⒈V族半導(dǎo)體材料替代應(yīng)變硅溝道實現(xiàn)高性能CMOS的研究已經(jīng)發(fā)展成為近期微電子領(lǐng)域的研究重點。

    近年來,ITRS也將高遷移率∏IV族化合物材料列為新一代高性能CMC)S器件的溝道解決方案之一。據(jù)Intel公司的預(yù)計及某半導(dǎo)體分析師的推斷,htel公司有很大可能會在其10nm或7nm CMOS技術(shù)節(jié)點啟用量子阱晶體管結(jié)構(gòu),采用銦鎵砷(In。33GaO17As)作為N

型器件二維電子氣溝道材料,采用鍺作為二維空穴氣P型溝道材料。該公司已經(jīng)在硅晶圓襯底上制造出了一個原型器件,證明新技術(shù)可以與現(xiàn)有硅制造工藝相融合。圖1.⒛給出Intel公司研究量子阱場效應(yīng)晶體管的技術(shù)演進(jìn)圖[55Ⅱl]。

   為進(jìn)一步提高量子阱場效應(yīng)晶體管的性能,加強(qiáng)器件柵控能力、增強(qiáng)驅(qū)動電流以及提高\(yùn)器件集成密度,我們提出了一種圓柱體全包圍柵量子阱場效應(yīng)晶體管,其器件結(jié)構(gòu)。假設(shè)InGaAs半導(dǎo)體納米線的直徑為D,寬禁帶InP半導(dǎo)體控制層厚度為,可以通過電荷控制模型以及逐級溝道近似得到圓柱體全包圍柵量子阱場效應(yīng)晶體管的⒈V關(guān)系。參考標(biāo)準(zhǔn)平面HEMT器件分析結(jié)果