信號(hào)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤表現(xiàn)為
發(fā)布時(shí)間:2019/2/5 16:28:32 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1323
傳輸線(xiàn)會(huì)對(duì)整個(gè)電路設(shè)計(jì)帶來(lái)以下效應(yīng)。
(1)反射信號(hào)(Renectcd⒊gllal)。MC56F8011VFAE
(2)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤(Delay&⒎而吧△ror)。
(3)多次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤(幾kS誡tch血g)。
(4)過(guò)沖與下沖(01e‘hoot/Undershoot)。
(5)串?dāng)_(hduced N0∞or⒍osstak)。
(6)電磁輻射(EMI Radi舶c,ll)。
信號(hào)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤表現(xiàn)為:接收端信號(hào)在輸人端邏輯電平的高與低門(mén)限之間變化時(shí),保持一段時(shí)間信號(hào)的不跳變。過(guò)多的信號(hào)延時(shí),可能導(dǎo)致時(shí)序錯(cuò)誤和器件 功能的混亂。
通常在多個(gè)接收端并行工作時(shí)會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。電路設(shè)計(jì)師必須確定最壞情況下的 時(shí)間延時(shí),以確保設(shè)計(jì)的正確性。
信號(hào)延時(shí)產(chǎn)生的原因:驅(qū)動(dòng)過(guò)載,走線(xiàn)過(guò)長(zhǎng)。
多次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤
信號(hào)在跳變的過(guò)程中可能多次跨越邏輯電平門(mén)限從而導(dǎo)致這一類(lèi)型的錯(cuò)誤。多 次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤是信號(hào)振蕩的一種特殊形式,即信號(hào)的振蕩發(fā)生在邏輯電平門(mén)限附近,多次跨越邏輯電平門(mén)限會(huì)導(dǎo)致邏輯功能紊亂。
如果一根高速信號(hào)走線(xiàn)沒(méi)有被正確終結(jié)(終端匹配),那么來(lái)自于驅(qū)動(dòng)端的信號(hào)脈沖在接收端將被反射,從而引發(fā)非預(yù)期效應(yīng),使信號(hào)輪廓失真。當(dāng)失真變形非常顯著時(shí)可導(dǎo)致多種錯(cuò)誤,引起設(shè)計(jì)失敗。同時(shí),失真變形的信號(hào)對(duì)騷擾的敏感性增加了,也會(huì)引起設(shè)計(jì)失敗。如果沒(méi)有考慮上訴情況,EMI將顯著增加,這就不單單會(huì)影響自身設(shè)計(jì)結(jié)果,還會(huì)造成整個(gè)系統(tǒng)的失敗。
反射信號(hào)產(chǎn)生的主要原因:過(guò)長(zhǎng)的走線(xiàn),未被匹配終結(jié)的傳輸線(xiàn),過(guò)量電容或電感及阻抗失配。
傳輸線(xiàn)會(huì)對(duì)整個(gè)電路設(shè)計(jì)帶來(lái)以下效應(yīng)。
(1)反射信號(hào)(Renectcd⒊gllal)。MC56F8011VFAE
(2)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤(Delay&⒎而吧△ror)。
(3)多次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤(幾kS誡tch血g)。
(4)過(guò)沖與下沖(01e‘hoot/Undershoot)。
(5)串?dāng)_(hduced N0∞or⒍osstak)。
(6)電磁輻射(EMI Radi舶c,ll)。
信號(hào)延時(shí)和時(shí)序錯(cuò)誤表現(xiàn)為:接收端信號(hào)在輸人端邏輯電平的高與低門(mén)限之間變化時(shí),保持一段時(shí)間信號(hào)的不跳變。過(guò)多的信號(hào)延時(shí),可能導(dǎo)致時(shí)序錯(cuò)誤和器件 功能的混亂。
通常在多個(gè)接收端并行工作時(shí)會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。電路設(shè)計(jì)師必須確定最壞情況下的 時(shí)間延時(shí),以確保設(shè)計(jì)的正確性。
信號(hào)延時(shí)產(chǎn)生的原因:驅(qū)動(dòng)過(guò)載,走線(xiàn)過(guò)長(zhǎng)。
多次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤
信號(hào)在跳變的過(guò)程中可能多次跨越邏輯電平門(mén)限從而導(dǎo)致這一類(lèi)型的錯(cuò)誤。多 次跨越邏輯電平門(mén)限錯(cuò)誤是信號(hào)振蕩的一種特殊形式,即信號(hào)的振蕩發(fā)生在邏輯電平門(mén)限附近,多次跨越邏輯電平門(mén)限會(huì)導(dǎo)致邏輯功能紊亂。
如果一根高速信號(hào)走線(xiàn)沒(méi)有被正確終結(jié)(終端匹配),那么來(lái)自于驅(qū)動(dòng)端的信號(hào)脈沖在接收端將被反射,從而引發(fā)非預(yù)期效應(yīng),使信號(hào)輪廓失真。當(dāng)失真變形非常顯著時(shí)可導(dǎo)致多種錯(cuò)誤,引起設(shè)計(jì)失敗。同時(shí),失真變形的信號(hào)對(duì)騷擾的敏感性增加了,也會(huì)引起設(shè)計(jì)失敗。如果沒(méi)有考慮上訴情況,EMI將顯著增加,這就不單單會(huì)影響自身設(shè)計(jì)結(jié)果,還會(huì)造成整個(gè)系統(tǒng)的失敗。
反射信號(hào)產(chǎn)生的主要原因:過(guò)長(zhǎng)的走線(xiàn),未被匹配終結(jié)的傳輸線(xiàn),過(guò)量電容或電感及阻抗失配。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 關(guān)電源初級(jí)地與次級(jí)地之間的隔離電容也須使用Y
- 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到45nm節(jié)點(diǎn)以下
- 接觸模式是AM最直接的成像模式
- 探針的定位與掃描需要非常高的尺寸精度
- 碰撞電離產(chǎn)生的電子空穴對(duì)會(huì)產(chǎn)生更多的電子空穴
- 斷續(xù)傳導(dǎo)騷擾的主要來(lái)源
- 掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式
- 淺槽隔離巾溝槽頂部圓弧結(jié)構(gòu)對(duì)減少器件漏電是有
- 氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降
- 地線(xiàn)面的一個(gè)主要好處是能夠使輻射的環(huán)路最小
推薦技術(shù)資料
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