HA12185NT

   一般地,高遷移率可保證較快的器件開關(guān)響應速度,器件的電流開/關(guān)比也會較大。另外,電流開/關(guān)比對柵電壓有很強的依賴性,因此比較兩個 器件的開/關(guān)比,要在相同的柵電壓下進行。

    在本章的開始,我們已經(jīng)講過場效應晶體管是應用最廣泛的電子器件,有多種應用。不同應用所要求的參數(shù)性能也不盡相同,對于以電池為電源的器件,因為希望低能耗,所以要求閾值電壓為幾伏;對于集成電路,例如主動式液晶顯示,為了更好地區(qū)別晶體管的開和關(guān)兩個狀態(tài),以達到良好的視覺效果,需要高性能oFET,即電流開/關(guān)比例要高于106、場效應遷移率大于0.1cm2對于其他可能的應用,通常要求遷移率不小于開關(guān)比大于103。下面對場效應晶體管的各個參數(shù)分別進行闡述。

   線性區(qū)域、飽和區(qū)域和夾斷電壓(IiⅡear regioⅡ,satum】on region,pinchˉoff vOItage)如果固定場效應晶體管的柵電壓,對器件進行漏電壓掃描,可獲得電流漏電壓曲線frD~‰),該曲線反映了器件的輸出特性。圖中可以看出,輸出電流的大小隨著柵電壓的增大而增大。當沒有加載柵電壓時,就沒有輸出電流,器件處于關(guān)狀態(tài)(cutofO。這點比較容易理解,在場效應晶體管中,由于溝道的導電性正比于電荷數(shù)目,而電荷數(shù)目正比于柵電壓,因此器件導電性隨柵電壓的增大而提高。