試驗(yàn)過(guò)程中施加靜態(tài)偏執(zhí)條件,要求如下: M24C64-WDW6TP

   (l)器件的偏置電壓端施加手冊(cè)規(guī)定的電旺;

   (2)對(duì)于高電平有效的輸入瑞,通過(guò)電阻上拉至電源電壓;

   (3)對(duì)于低電平有效的輸入端,通過(guò)電阻下拉至地ε

   具體偏置條件如表3-11所示。

   表⒊11 具體偏置條件

   試驗(yàn)流程

   試驗(yàn)流程采用MOS器件試驗(yàn)流程(見圖3-⒓)進(jìn)行,具體如下:

   第一步:利用UltraFLEX型大規(guī)模數(shù)字集成電路測(cè)試系統(tǒng)對(duì)3只(其中一只對(duì)比備份樣接33x(1±1%)V品)進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,測(cè)試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。

   第二步:試驗(yàn)現(xiàn)場(chǎng)布置,根據(jù)選擇的劑量率,將輻照試驗(yàn)板放置在制定的位置,并驗(yàn)證通信正常。

   第三步:開始輻照試驗(yàn),試驗(yàn)過(guò)程中每隔10krad(si)記錄電源電流一次。

   第四步:當(dāng)輻照總劑量達(dá)到10Okrad(Si)時(shí),輻照結(jié)束。將器件的引腳短接在一起,運(yùn)輸至電參數(shù)測(cè)試場(chǎng)所進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試。

   第五步:進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,測(cè)試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。

   第六步:測(cè)試完畢后,將器件的引腳短接在一起,運(yùn)輸至輻照地點(diǎn),進(jìn)行50%過(guò)輻照追加試驗(yàn)。

   第七步:輻照結(jié)束,維持輻照偏置條件進(jìn)行ΓA=(100±5)℃168小時(shí)退火試驗(yàn)。

   第八步:高溫退火結(jié)束,進(jìn)行最終點(diǎn)參數(shù)測(cè)試,測(cè)試結(jié)果符合詳細(xì)規(guī)范要求。