同軸引線類型(見圖⒋25)

    (1)觸絲到外殼距離小于外引線直徑的1/2。

   (2)外殼到半導體芯片或到任何共晶鍵合材料的距離小于0,05mm。 H11A817C

    (3)觸絲在離器件引線軸方向傾斜5°以上或變形伸長,以致與自身接觸。

   (4)呈現(xiàn)C形和S形的觸絲部分,其任意兩點間的間隙小于觸絲引線直徑或厚度的兩倍。對具有觸絲與外引線和芯片間冶金鍵合的二極管,如果保持圖4ˉ25(a)中規(guī)定的最小觸絲間距,觸絲可能會變形伸長以致與自身接觸。

    (5)無觸絲結構的器件中,陽極和陰極連接引線相對于器件中心軸的位移超過0.25∏Ⅱn。

    (6)半導體芯片的裝配相對于器件主軸的垂線傾斜15°以上。

    (7)芯片面積的10%以上懸在底座或基座邊沿。

   (8)不到75%的半導體芯片底面與安裝表面焊接。

   (9)在引線和散熱片之間的熔焊點中,與任一邊緣之間有大于引線直徑15%的空洞。在應該被熔接的區(qū)域中心存在有空洞。

    (10)器件封裝中存在像玻璃體裂紋、不完全密封(有空洞、玻璃位置不合適等)、芯片破裂,以及與芯片或外引線相連的S形和C形觸絲嚴重對不準之類的缺陷。