芯片剪切強(qiáng)度失效分析

   經(jīng)芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)后,芯片的G07007SB-UAQX01脫離大致有三種現(xiàn)象,即芯片被剪切時(shí)剝離,在基座上有殘留硅碎片的痕跡;芯片從芯片焊接材料上脫離;芯片與芯片焊接材料一起脫離。第一種現(xiàn)象是由于用力不當(dāng)或用力過大所致,而第二、三種現(xiàn)象則可能是焊接材料或焊接工藝所造成的,應(yīng)該根據(jù)失效情況進(jìn)行具體分析。

   芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)發(fā)展趨勢

   芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)是評(píng)價(jià)芯片黏結(jié)可靠性的主要手段之一。芯片的高度集成小型化的發(fā)展對(duì)芯片剪切設(shè)備的施力范圍、靈敏度等能力的要求也是逐漸提高的。其中芯片剪切設(shè)備是目前最先進(jìn)的芯片剪切儀,該設(shè)備擁有創(chuàng)立的模塊設(shè)計(jì)理念讓配置更靈活,從而使之成為單一或多功能應(yīng)用都具很高性價(jià)比的推拉力測試系統(tǒng),達(dá)到高精度、高重復(fù)性、高再現(xiàn)性。