破壞性物理分析(DPA)評價(jià)的取樣

  可采用本試驗(yàn)方法規(guī)定的試驗(yàn)條件和標(biāo)準(zhǔn)對最終產(chǎn)品、品圓或芯片作D隊(duì)評價(jià)。 GAL16LV8C-10LJN

   SEM檢查期間的批量控制

   在選擇了SEM檢查的芯片后,承制方有兩種可能的選擇。

   1)第一種選擇

   承制方對生產(chǎn)批繼續(xù)正常的工藝流程,但這將要冒風(fēng)險(xiǎn),即如果進(jìn)行的sEM檢查揭示出金屬化層中有缺陷,其產(chǎn)品將會(huì)被剔除和拒收。如果選擇本條,承制方應(yīng)該有適當(dāng)?shù)目勺?/span>溯性文件來證明它已對被加工材料實(shí)施了有效控制和剔除。

   2)第二種選擇

   在繼續(xù)其I藝流程之前,承制方先把芯片和晶圓存儲(chǔ)在合適的環(huán)境中,直到完成了SEM檢查并得到了可繼續(xù)其I藝流程的批準(zhǔn)。

   樣品準(zhǔn)各

   適用時(shí),應(yīng)采用不損傷其下層待檢查的金屬化層的腐蝕工藝(如化學(xué)或等離子腐蝕)去除芯片表面的玻璃鈍化層。檢查時(shí)固定樣品的方式應(yīng)與檢查用的設(shè)備相適應(yīng)。應(yīng)注意采取措施不要破壞待檢查樣品的特征。如果能得到合適的分辨率和信噪比,樣品檢查時(shí)可不用表面敷層。若需要采用表面敷層,應(yīng)采用厚度不超過1Ollm的用氣相淀積或?yàn)R射方式形成的合適導(dǎo)電材料(如金)薄層c應(yīng)控制敷層淀積工藝保證在此過程中不引入其他外來物。