指數(shù)上升率

   電路說明和要求:脈沖發(fā)生器提供如圖5-50所示的具有規(guī)定幅值和可調(diào)指數(shù)電壓上升率的指數(shù)波形。 G6K-2P-12VDC

    通過實(shí)際曲線的0.1‰M和0.63‰M兩點(diǎn)的理論指數(shù)曲線應(yīng)有時(shí)間常數(shù)⒎t=0.63/DM/ldWdrl在0.1‰M和0.9‰M之間,電壓偏離理論指數(shù)曲線應(yīng)不大于5%‰M。

   測(cè)量程序

   (1)設(shè)定規(guī)定溫度值;

   (2)由脈沖發(fā)生器增大電壓的幅值到規(guī)定值,在示波器上顯示;

   (3)由脈沖發(fā)生器調(diào)整電壓上升率到規(guī)定值,在示波器上顯示;

   (4)在示波器上檢驗(yàn)晶閘管兩端的電壓波形;

   如果晶閘管能保持住斷態(tài),則額定值得到驗(yàn)證。

    場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試方法

   場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)測(cè)試方法主要是參考《GB/T笱86―%半導(dǎo)體器件分立器件:第8部分場(chǎng)效應(yīng)晶體管》。由于功率場(chǎng)效應(yīng)管(VDMOs)應(yīng)用廣泛,且其相應(yīng)的參數(shù)測(cè)試方法在GB/T繡86―%中未有明確規(guī)定,因此在本文中主要以VDMOs為例來介紹場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)測(cè)試方法,除部分VDMOS獨(dú)有參數(shù)外(寄生二極管參數(shù)),其余方法與普通場(chǎng)效應(yīng)管類似,為更好地理解以及實(shí)際可操作性,本文在GB/T笱86-94的基礎(chǔ)上對(duì)測(cè)試原理方法進(jìn)行了簡(jiǎn)化。