壓敏電阻器是一種電壓非線性元件
發(fā)布時間:2019/6/29 18:03:06 訪問次數(shù):1392
壓敏電阻器是一種電壓非線性元件,其電阻值隨施加電壓的增加而急劇減小, G3VM-201G可起到過電壓保護、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護半導體器件等作用,廣泛應用于電子設備中。壓敏電阻器按材質(zhì)分類主要有碳化硅壓敏電阻器和氧化鋅壓敏電阻器;按結(jié)構分類主要有圓片形和片式多層兩種結(jié)構。氧化鋅壓敏電阻器是目前性能最好且應用最廣泛的壓敏電阻器。氧化鋅壓敏電阻器的基本性能包括:壓敏電壓、最大連續(xù)工作電壓、最大峰值電流、能量耐量和限制電壓。
電容器是由絕緣介質(zhì)材料隔離的兩個導體表面組成的元件。電容器是一種儲能元件,具有隔直流和通交流的能力,廣泛用于隔直流、耦合、旁路、濾波、振回路調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換、控制電路中的時間常數(shù)等。根據(jù)所使用的介質(zhì)材料不同,電容器可分為瓷介電容器、電解電容器、有機薄膜電容器和云母介質(zhì)電容器等。
有機薄膜電容器按介質(zhì)材料可分為聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚酰亞胺等弱極性有機介質(zhì)電容器和聚丙烯、聚四氟乙烯等非極性有機介質(zhì)電容器。其中非極性有機介質(zhì)電容器具有介質(zhì)損耗低、介電常數(shù)小的特點。有機薄膜電容器按電極結(jié)構可分為金屬化薄膜電容器和金屬箔式電容器。金屬化薄膜電容器有自愈特性和開路失效特性,是有機電容器中應用最廣的一類電容器。金屬箔式電容器工作電流有效值和峰值更大,抗沖擊電流能力更強。瓷介電容器通常分為單層瓷介電容器和多層瓷介電容器(MLCC)兩大類。單層瓷介電容器主要是交流高壓圓片瓷介電容器和微波/毫米波單片電容器。按瓷介質(zhì)材料特性可分為l類、2類、3類瓷介電容器。執(zhí)行的規(guī)范是GJB468A-2011
《1類瓷介固定電容器通用規(guī)范》、GJB9γA―⒛⒓《2類瓷介固定容器通用規(guī)范》、GJB1433―”《瓷介微調(diào)可變電容器總規(guī)范》、GJB1”B―⒛l1《有失效率等級的無包封多層片式瓷介固定電容器通用規(guī)范》、GJB4157A~⒛11《高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范》。3類半導體晶界層陶瓷,以鈦酸鋇為主晶相,具有X7R溫度特性,介電常數(shù)比2類X7R陶瓷高一個數(shù)量級,達3000以上,介質(zhì)損耗比2類X7R陶瓷低一個數(shù)量級,tanδ≤3×10名,具有ε隨頻率升高而下降的色散特性,特別適用于RFI/EMI濾波或作微波寬帶(15kHz~佃GHz)耦合電容器。
壓敏電阻器是一種電壓非線性元件,其電阻值隨施加電壓的增加而急劇減小, G3VM-201G可起到過電壓保護、防雷、抑制浪涌電流、吸收尖峰脈沖、限幅、高壓滅弧、消噪、保護半導體器件等作用,廣泛應用于電子設備中。壓敏電阻器按材質(zhì)分類主要有碳化硅壓敏電阻器和氧化鋅壓敏電阻器;按結(jié)構分類主要有圓片形和片式多層兩種結(jié)構。氧化鋅壓敏電阻器是目前性能最好且應用最廣泛的壓敏電阻器。氧化鋅壓敏電阻器的基本性能包括:壓敏電壓、最大連續(xù)工作電壓、最大峰值電流、能量耐量和限制電壓。
電容器是由絕緣介質(zhì)材料隔離的兩個導體表面組成的元件。電容器是一種儲能元件,具有隔直流和通交流的能力,廣泛用于隔直流、耦合、旁路、濾波、振回路調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換、控制電路中的時間常數(shù)等。根據(jù)所使用的介質(zhì)材料不同,電容器可分為瓷介電容器、電解電容器、有機薄膜電容器和云母介質(zhì)電容器等。
有機薄膜電容器按介質(zhì)材料可分為聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚酰亞胺等弱極性有機介質(zhì)電容器和聚丙烯、聚四氟乙烯等非極性有機介質(zhì)電容器。其中非極性有機介質(zhì)電容器具有介質(zhì)損耗低、介電常數(shù)小的特點。有機薄膜電容器按電極結(jié)構可分為金屬化薄膜電容器和金屬箔式電容器。金屬化薄膜電容器有自愈特性和開路失效特性,是有機電容器中應用最廣的一類電容器。金屬箔式電容器工作電流有效值和峰值更大,抗沖擊電流能力更強。瓷介電容器通常分為單層瓷介電容器和多層瓷介電容器(MLCC)兩大類。單層瓷介電容器主要是交流高壓圓片瓷介電容器和微波/毫米波單片電容器。按瓷介質(zhì)材料特性可分為l類、2類、3類瓷介電容器。執(zhí)行的規(guī)范是GJB468A-2011
《1類瓷介固定電容器通用規(guī)范》、GJB9γA―⒛⒓《2類瓷介固定容器通用規(guī)范》、GJB1433―”《瓷介微調(diào)可變電容器總規(guī)范》、GJB1”B―⒛l1《有失效率等級的無包封多層片式瓷介固定電容器通用規(guī)范》、GJB4157A~⒛11《高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范》。3類半導體晶界層陶瓷,以鈦酸鋇為主晶相,具有X7R溫度特性,介電常數(shù)比2類X7R陶瓷高一個數(shù)量級,達3000以上,介質(zhì)損耗比2類X7R陶瓷低一個數(shù)量級,tanδ≤3×10名,具有ε隨頻率升高而下降的色散特性,特別適用于RFI/EMI濾波或作微波寬帶(15kHz~佃GHz)耦合電容器。